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ID:415264 · 發(fā)表于 2018-10-31 15:41

一、晶體管基礎(chǔ) 雙極結(jié)型三極管相當于兩個背靠背的二極管 PN 結(jié)。正向偏置的 EB 結(jié)有空穴從發(fā)射極注入基區(qū)，其中大部分空穴能夠到達集電結(jié)的邊界，并在反向偏置的 CB 結(jié)勢壘電場的作用下到達集電區(qū)，形成集電極電流 IC 。在共發(fā)射極晶體管電路中，發(fā)射結(jié)在基極電路中正向偏置，其電壓降很小。絕大部分的集電極和發(fā)射極之間的外加偏壓都加在反向偏置的集電結(jié)上。由于 VBE 很小，所以基極電流約為 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。

如果晶體管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)β= IC / IB =100, 集電極電流 IC= β*IB=10mA。在 500Ω的集電極負載電阻上有電壓降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶體管集電極和發(fā)射極之間的壓降為VCE=5V，如果在基極偏置電路中疊加一個交變的小電流ib，在集電極電路中將出現(xiàn)一個相應(yīng)的交變電流ic，有c/ib=β，實現(xiàn)了雙極晶體管的電流放大作用。

金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)三極管的基本工作原理是靠半導(dǎo)體表面的電場效應(yīng)，在半導(dǎo)體中感生出導(dǎo)電溝道來進行工作的。當柵 G 電壓 VG 增大時， p 型半導(dǎo)體表面的多數(shù)載流子棗空穴逐漸減少、耗盡，而電子逐漸積累到反型。當表面達到反型時，電子積累層將在 n+ 源區(qū) S 和 n+ 漏區(qū) D 之間形成導(dǎo)電溝道。當 VDS ≠ 0 時，源漏電極之間有較大的電流 IDS 流過。使半導(dǎo)體表面達到強反型時所需加的柵源電壓稱為閾值電壓 VT 。當 VGS>VT 并取不同數(shù)值時，反型層的導(dǎo)電能力將改變，在相同的 VDS 下也將產(chǎn)生不同的 IDS , 實現(xiàn)柵源電壓 VGS 對源漏電流 IDS 的控制。

二、晶體管的命名方法

晶體管：最常用的有三極管和二極管兩種。三極管以符號BG（舊）或（T）表示，二極管以D表示。

按制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。

按極性分，三極管有 PNP 和 NPN 兩種，而二極管有 P 型和 N 型之分。多數(shù)國產(chǎn)管用 xxx 表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位 3 代表三極管，2 代表二極管。第二位代表材料和極性。A 代表 PNP 型鍺材料；B 代表 NPN 型鍺材料；C 為 PNP型硅材料；D 為 NPN 型硅材料。第三位表示用途，其中 X 代表低頻小功率管；D 代表低頻大功率管；G 代表高頻小功率管；A 代表高頻大功率管。最后面的數(shù)字是產(chǎn)品的序號，序號不同，各種指標略有差異。注意，二極管同三極管第二位意義基本相同，而第三位則含義不同。對于二極管來說，第三位的 P 代表檢波管；W 代表穩(wěn)壓管；Z 代表整流管。上面舉的例子，具體來說就是 PNP 型鍺材料低頻小功率管。對于進口的三極管來說，就各有不同，要在實際使用過程中注意積累資料。常用的進口管有韓國的 90xx、80xx 系列，歐洲的 2Sx 系列，在該系列中，第三位含義同國產(chǎn)管的第三位基本相同。

二、常用中小功率三極管參數(shù)表

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