硅基成電路設(shè)計PPT課件下載

ID:406598 · 發(fā)表于 2018-11-12 20:49

硅基成電路工藝基礎(chǔ)  共九章  很詳細(xì)的！
      本課程主要講述硅集成電路制造的各單項工藝，介紹各項工藝的物理基礎(chǔ)和基本原理，主要內(nèi)容包括硅的晶體結(jié)構(gòu)、氧化、擴散、離子注入、物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、外延、光刻與刻蝕、金屬化與多層互連，最后簡要介紹集成電路的工藝集成。
      本課程也是從事微電子相關(guān)領(lǐng)域（如太陽電池、半導(dǎo)體器件、激光器、LED和TFT等）的研究和工作的基礎(chǔ)課程。

通過學(xué)習(xí)本課程，可以：
了解并掌握常用的半導(dǎo)體工藝技術(shù)；
能夠簡要敘述集成電路每一個工藝過程；
了解基本的集成電路制備過程；
能夠從事半導(dǎo)體工藝相關(guān)的工作。

外延：是指在單晶襯底(如硅片)上，按襯底晶向生長單晶薄膜的工藝過程。生長有外延層的硅片稱為外延片。
同質(zhì)外延：生長的外延層和襯底是同一種材料。
異質(zhì)外延：外延生長的薄膜與襯底材料不同，或者生長化學(xué)組分、物理結(jié)構(gòu)與襯底完全不同的外延層，如SOS 技術(shù)（在藍(lán)寶石或尖晶石上生長硅）。
根據(jù)向襯底輸送原子的方式，外延生長分為三種類型：
氣相外延(VPE)、液相外延(LPE)和固相外延(SPE)。
在硅工藝中主要采用氣相外延技術(shù)，能夠很好地控制外延層厚度、雜質(zhì)濃度、晶體完整性。缺點是必須在高溫下進(jìn)行，加重了擴散效應(yīng)和自摻雜效應(yīng)，影響對外延層摻雜的控制。

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