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分立的HEXFET功率MOSFET IR選型指南(詳細(xì)的參數(shù)列表)

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ID:436309 發(fā)表于 2018-11-30 09:43 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
附件為IR選型內(nèi)容,值得推薦
功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn),因而非常適合用作開(kāi)關(guān)電源(SMPS)的整流組件。功率MOSFET和雙極型晶體管不同,它的柵極電容比較大,在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電,當(dāng)電容電壓超過(guò)閾值電壓(VGS-TH)時(shí)MOSFET才開(kāi)始導(dǎo)通。


全部資料51hei下載地址:
IR產(chǎn)品選型指南(不錯(cuò)).zip (150.24 KB, 下載次數(shù): 22)

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