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三極管作為開關,CE間的壓降問題

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ID:235491 發(fā)表于 2019-1-23 10:11 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最后由 bigfou 于 2019-1-23 10:14 編輯

系統(tǒng)啟動時默認是低電平,外接設備默認是低電平有效。我想使用一個引腳來控制外部電路的電源開關。如圖 : 但是三極管上有壓降。。不知道怎么解決

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ID:72088 發(fā)表于 2019-1-23 11:27 | 只看該作者
換成場效應管,壓降可以忽略不計

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ID:235491 發(fā)表于 2019-1-23 20:05 | 只看該作者
新鄉(xiāng)家電維修 發(fā)表于 2019-1-23 11:27
換成場效應管,壓降可以忽略不計

非常感謝您的回復。我去了解了一下,我這個場景需要用N溝道場效應管。我選了SI2300 這個,是不是只要圖那樣接法?不許用其他的外圍器件了吧?負載電壓是3.3V  電流約50ma。

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ID:213173 發(fā)表于 2019-1-23 20:51 | 只看該作者
bigfou 發(fā)表于 2019-1-23 20:05
非常感謝您的回復。我去了解了一下,我這個場景需要用N溝道場效應管。我選了SI2300 這個,是不是只要圖那 ...

采用P溝道場效應管低電平觸發(fā)作電源開關比較適合。

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5#
ID:235491 發(fā)表于 2019-1-23 23:09 | 只看該作者
wulin 發(fā)表于 2019-1-23 20:51
采用P溝道場效應管低電平觸發(fā)作電源開關比較適合。

因為系統(tǒng)啟動時 默認就是低電平,只要外圍設備默認就通電了。我想啟動默認外設不通電。

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6#
ID:394394 發(fā)表于 2019-1-23 23:55 | 只看該作者
換成PMOS管,不需要加其他電路;換成NMOS,需要加電荷泵電路

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7#
ID:342822 發(fā)表于 2019-1-24 00:16 | 只看該作者
用鍺pnp管吧

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8#
ID:65074 發(fā)表于 2019-1-24 21:13 | 只看該作者
NMOS控制正極 PMOS控制負極  三極管深度飽和 電流不大的場景  壓降也可以忽略不計
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9#
ID:388197 發(fā)表于 2019-1-24 23:10 | 只看該作者
所謂的壓降到底有多大,一般飽和時CE壓降很小的..
CE壓降大會不會是因為B極電流過小而C極負載較大而跑到了放大區(qū)了?
用萬用表測下B極電阻上降了多少電壓,就能大概算出B極電流.如果IO口是內上拉,驅動NPN管一般不需要B極限流電阻,內部上拉電阻已經(jīng)可以起這個作用了.
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10#
ID:47286 發(fā)表于 2019-1-24 23:13 | 只看該作者
bigfou 發(fā)表于 2019-1-23 23:09
因為系統(tǒng)啟動時 默認就是低電平,只要外圍設備默認就通電了。我想啟動默認外設不通電。

那你用一個NMOS控制一個PMOS不就行了 NMOS是高有效 PMOS是低有效
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11#
ID:388197 發(fā)表于 2019-1-24 23:21 | 只看該作者
推薦個簡單實用的電路,單片機IO口設置成內上拉,高電平時Q1導通,繼而Q2導通,負載RL得電.VDD可以取與單片機電源共地的任意電壓,當然前提是不能超過元件的極限參數(shù).電壓取得高,適當加大R1阻值.

transistor.png (5.14 KB, 下載次數(shù): 62)

transistor.png
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12#
ID:235491 發(fā)表于 2019-1-25 11:10 | 只看該作者
非常感謝大家的回復。我得面包板來挨個測試一下。謝謝大家
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13#
ID:401564 發(fā)表于 2019-1-25 11:38 | 只看該作者
這到底是有多難的電路呢?
你對著我這電路接就可以了,兩個電路都是我實際測量使用過的,電阻不能少因為是MOS管,有時候會誤導通的.
這樣的電路也一樣的會產(chǎn)生壓降,不同的MOS管壓降也不同,但還是要比三極管小很多的,只要不是很精密的電路的話,實用性還是很強的,壓降一般是在:0.02V-0.06V左右,1A的電流.
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