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求分析MCU+繼電器電路是如何工作的?

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ID:354282 發(fā)表于 2019-4-9 19:04 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
MCU為高電繼電器吸合還是為低電平時(shí)繼電器吸合?

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ID:277550 發(fā)表于 2019-4-9 20:06 | 只看該作者
低釋放、高吸合。


其實(shí),要查詢(xún)一下8050是什么類(lèi)型的三極管就清楚了, 三極管8050是非常常見(jiàn)的NPN型晶體三極管。


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ID:134317 發(fā)表于 2019-4-9 20:09 | 只看該作者
本帖最后由 liugang 于 2019-4-9 22:07 編輯

高電平吸合
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ID:213173 發(fā)表于 2019-4-9 22:02 | 只看該作者


MCU輸出高電平,二極管D6截止,驅(qū)動(dòng)電流經(jīng)R4、R6致Q1導(dǎo)通,繼電器吸合(B通路)。MCU輸出低電平,二極管D6導(dǎo)通,驅(qū)動(dòng)電流經(jīng)R4、D6、MCU。Q1截止,繼電器釋放(A通路)。
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5#
ID:354282 發(fā)表于 2019-4-10 07:59 | 只看該作者
wulin 發(fā)表于 2019-4-9 22:02
MCU輸出高電平,二極管D6截止,驅(qū)動(dòng)電流經(jīng)R4、R6致Q1導(dǎo)通,繼電器吸合(B通路)。MCU輸出低電平,二極 ...


大哥 ,指點(diǎn)下,為何MCU為低電平時(shí),A這條導(dǎo)通,B這條不通,是不是,三極管的Vbe壓降大,二極管1N60P壓降相對(duì)更小。電壓會(huì)向更低電位導(dǎo)通。MCU為低電平時(shí),A通B不通?
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6#
ID:52944 發(fā)表于 2019-4-10 08:54 | 只看該作者
首先mcu電壓要夠高,如24V,高吸合低釋放;低于24v,繼電器始終釋放。
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7#
ID:451718 發(fā)表于 2019-4-10 10:13 | 只看該作者
jefelee 發(fā)表于 2019-4-10 07:59
大哥 ,指點(diǎn)下,為何MCU為低電平時(shí),A這條導(dǎo)通,B這條不通,是不是,三極管的Vbe壓降大,二極管1N60P壓 ...

低電平時(shí),1N60P正向?qū),既然是?dǎo)通,那么從電阻就很小了。幾乎可以認(rèn)為此時(shí)1N60P這邊是一個(gè)直接到地的效果,而此時(shí),另外一邊還有2.2k才能到地。所以,電流會(huì)走A線。  

高電平時(shí),75k和2.2k分壓后,節(jié)點(diǎn)處電壓值只有1.4v左右(此處預(yù)算了三極管壓降),小于OUT口3.3或者5v,所以,1N60P截止,電流被強(qiáng)制走B線。三極管導(dǎo)通,繼電器吸合。
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8#
ID:310519 發(fā)表于 2019-4-10 11:53 | 只看該作者
上次好像看過(guò)這個(gè)圖。

不知道為什么這樣設(shè)計(jì)?

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9#
ID:337069 發(fā)表于 2019-4-10 15:18 | 只看該作者
輸出0伏的時(shí)候,二極管鉗位,A點(diǎn)電壓PN結(jié)電壓,基極正偏電壓vbe一個(gè)PN結(jié)電壓,這樣基極電流大概IB = ( vA - vbe )/2.2k = 0,三極管開(kāi)時(shí)候,工作在飽和區(qū), ic =n*ib ,現(xiàn)在 0.
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10#
ID:213173 發(fā)表于 2019-4-10 20:01 | 只看該作者
jefelee 發(fā)表于 2019-4-10 07:59
大哥 ,指點(diǎn)下,為何MCU為低電平時(shí),A這條導(dǎo)通,B這條不通,是不是,三極管的Vbe壓降大,二極管1N60P壓 ...

你的疑慮是真實(shí)存在的,硅材料的PN結(jié)的正向?qū)▔航祷鞠嗤。其?shí)這個(gè)電路是有缺陷的,MCU為低電平時(shí)不能保證Q1完全截止,只不過(guò)由于R6的存在Q1的be電流很小,雖經(jīng)放大后也不足以使繼電器誤動(dòng)作。在要求較高的場(chǎng)合會(huì)在Q1的e極到地接二極管墊高0.7V以保證Q1能夠可靠截止。
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11#
ID:354282 發(fā)表于 2019-4-11 10:18 | 只看該作者
wulin 發(fā)表于 2019-4-10 20:01
你的疑慮是真實(shí)存在的,硅材料的PN結(jié)的正向?qū)▔航祷鞠嗤。其?shí)這個(gè)電路是有缺陷的,MCU為低電平時(shí)不 ...

解釋和補(bǔ)充非常到位。即考慮防止誤動(dòng)作又考慮成本,所以,選用壓降較低的1N60P(壓降約為0.28V左右),低電平時(shí),基本不會(huì)出現(xiàn)放大現(xiàn)象(對(duì)于Q1,畢竟Vbe約為0.6左右嘛)。
最后,感謝您的回復(fù)。
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