這是關(guān)于目前應(yīng)用最廣泛的高通平臺的手機射頻校準和綜測的個人總結(jié)的資料，歡迎大家指正。
高通校準和綜測
•射頻校準的目的
•高通校準流程
•常用縮寫
•RF校準
高通校準的演進及方法簡介 ESC V4校準介紹 •綜測指標介紹
GSM綜測指標 WCDMA綜測指標 LTE綜測指標
射頻校準的目的
•每部剛生產(chǎn)出的手機射頻特性都各不相同，甚至不符合移動系統(tǒng)的規(guī)范；
這是因為： -設(shè)計不同 -即使相同的設(shè)計，也存在元器件間的差異 •另外每部手機也會隨溫度和信道頻率的不同，改變其射頻特性
•為了確保每部手機都能正常工作，并滿足射頻性能、規(guī)范，需測量手機的各種特性；生成補償值并存儲到手機中，即校準。
•
•補償值通過計算得到，一些是在設(shè)計中測量，還有一些需要針對各個手機進行測量
設(shè)計中得到→計算/特征化NV 項(靜態(tài)NV) 需要在每個手機中測量→ 測量的NV 項
Qualcomm提供靜態(tài)NV文件 和QSPR RF 校準測試樹 用戶校準時，需對參數(shù)做適當?shù)男薷�，并做統(tǒng)計優(yōu)化
•校準后，格式化的結(jié)果將存儲在NV存儲器
•高通校準流程：
1.生成靜態(tài)NV:用QRCT的NV tools 將XML格式的NV源文件轉(zhuǎn)換成靜態(tài)QCN文件； 2.寫入靜態(tài)NV：用QPST將QCN文件寫入手機中； 3.用QSPR挑選適當?shù)腞F校準樹（.xtt 文件），對手機進行校準； 4.將校準后的值寫入到手機相應(yīng)的NV中.
| 信號名 | 英文全稱 | 中文全稱 | 名詞解釋與功能描述 | | ACLR | Adjacent Channel Leakage Ratio | 鄰道泄露比 | 3G,4GTX中心載波外的頻譜幅度 | | APT | Average power tracking | 平均功率跟隨 | 根據(jù)平均功率的大小，調(diào)節(jié)射頻功放的供電電壓 | | CA | Carrier aggregation | 載波聚合 | 同時接收或發(fā)射多個載波，提高數(shù)據(jù)傳輸速率 | | DPD | Digital predistortion | 數(shù)字預(yù)失真校準 | 校準GSM edge 高功率段PA的輸出 | | DVGA | Digital Variable Gain Amplifier | 數(shù)字可變增益放大器 | 補償接收路徑的增益和損耗的偏移 | | EFS | Embedded file system | 嵌入式文件系統(tǒng) | NV的擴展 | | ESC V4 | Enhanced Sweep Calibration | 第4版增強型掃描校準 | 高通的校準方法 | | EVM | Error Vector Magnitude | 誤差矢量幅度 | 3G,4GTX信道內(nèi)中心載波的波形誤差 | | ICQ | PA quiescent current | PA靜態(tài)電流 | PA校準指標 | | NV | NonVolatile memory | 非易失性存儲器 | 存儲的內(nèi)容即使掉電也不會丟失 | | ORFS | Output Radio Frequency Spectrum | 輸出射頻頻譜 | GSM中心載波外的頻譜幅度 | | PCL | power control level | 功率控制等級 | GSM 5~19,DCS/PCS 0~15 | | QCN | QTI combined NVs | 高通組合NV項 | 高通存儲RF NV項的文件 | | QSC V5 | Qualcomm Single Chip V5 | 高通單芯片校準第5版 | 最新的高通的校準方法，用于ATLAS Modem平臺 | | RB | Resource block | 資源塊 | LTE中業(yè)務(wù)資源占用帶寬的單位 | | RGI | Relative gain index | 相對增益指數(shù) | 控制PA的發(fā)射功率的大小 | | RSB | Residual sideband | 殘余邊帶 | 由接收器的IQ不平衡引起 | | SSS | Start stop step | 開始停止及步長 | 掃描校準的起始點及步長 | | WWAN | Wirless wide area network | 無線廣域網(wǎng) | 指移動網(wǎng)絡(luò) | | XO | Crystal oscillator | 晶振 | 提供BB,RF時鐘 |
高通校準的演進及方法簡介
•ESCV3開始，高通導(dǎo)入sweep的概念 ESC(enhancesweep calibration)，校準時間有很大提升，這個算法在WTR1605之后開始采用，校準參數(shù)仍然在xtt里修改，同時APT技術(shù)也開始采用
•ESCv4,也就是現(xiàn)階段的算法，在ESCV3進行擴展（opcode）效率和V3差別不大，同時V4開始支持XPT、Fbrx/Rx rsb、CA等新的校準內(nèi)容。
•3/4gTx 校準
Tx的校準也就是針對PA發(fā)射的調(diào)校。市場的PA都有增益等級，每個增益等級有相應(yīng)的發(fā)射功率范圍。最終能滿足最大功率到最小功率的發(fā)射范圍。
高通在TX發(fā)射校準無外乎就是把發(fā)射鏈路的最大功率和最小功率區(qū)間特性寫入手機。讓手機軟件工作起來知道發(fā)多大功率需要怎么處理。
PA的控制增益過程：高通早期稱為pa_range，因為那時PA都是GPIO控制，后面出現(xiàn)了MIPIPA，開始引入PAstate的概念。那么無論是PArange 和PAstate 都代表PA的增益等級。常見的PA都是2態(tài)等級，支持APT。其中PA1/PA0分別為PA的高/低功率范圍。
•V2時控制發(fā)射的叫PDM，所以校準時會設(shè)定一個起始PDM ，一個步進（step）然后設(shè)置信道，PA等級，開始做掃描這樣就得到參考信道的一組數(shù)據(jù)，PDM VS power 關(guān)系，然后把這個數(shù)據(jù)寫到手機里。
V3/V4和V2一致，也需要定義起始， 這里控制的叫RGI。
•每個PAstate下都要掃出一張表，即RGI vs POWERvs Vbias(PA偏置電壓APT)/Icq 。一般會需兩次掃描完成，即在全偏置電壓，一般3.7v，即3700下掃描出fullbias（Fixed）的表，然后再把這個表插到char表里找到最優(yōu)的PAbias進行可變偏壓，即APT的掃描。
•HDET：第三次掃描時，會測量最大功率時TX和HDET的頻率特性，校準達到TX功率輸出上限時，手機自己的功率檢測精度。
3G/4G--RX 校準：測量每個LNA狀態(tài)的增益偏差，然后用DVGA去補償 C0/C2: WCDMA,LTE的主發(fā)射接收通路（PrimaryRX and TX），僅IQ通路不同 C1/C3: WCDMA,LTE的分集接收通路（Diversity），僅IQ通路不同
GSM --Tx校準 GSM Tx 校準分為DA和pre-dist預(yù)失真校準。
DA校準時設(shè)置PArange 開啟掃描，RGI從31 ~1，同時會掃描出8psk，GMSK數(shù)據(jù)。
Pre-dist 校準僅針對edge 大功率模式，所以也只會在最大PA功率模式做
GSM--Rx 校準：測量接收器特性，然后為準確的RSSI讀數(shù)補償信號損耗
QSCV5： 高通最新的校準方案 高通全新的QSCV5校準方法，用于最新的MSM8998，SDM660/630平臺，Modem 代號Atlas 其中Moto 最新模塊旗艦機GoldenEagle用MSM8998，最新MotoX –Ibis用SDM630，這兩種手機采用QSCV5校準，其余均采用ESC V4校準 校準步驟： 1.內(nèi)部器件校準 2.XO 校準 3.每個頻段的QSC 校準; 首先是儀器連接掃描（connected sweep ），用來校準FBRx的硬件、軟件增益和溫度讀數(shù)；RxLNA增益的偏差；及新增的依賴于頻率的RX殘余邊帶校準Frequency-dependent(FD)Rx RSB for LTE。 4.然后是手機的自掃描（unconnected sweep，不連接任何測試儀器 ），手機根據(jù)自己的的功率檢測值（ FBRx ）校準TX的RGIvsPWRvsAPT曲線和溫度讀數(shù)。 5.GSMTX校準，仍然是V2; 6.GSMRx 校準，仍然是V2; 7.在Atlas里, 除GSMNV 由校準工具寫入外， 其它的寬帶測量NV ，會在每個頻段的QSC校準完成后，由手機自己寫到EFS中（embedded file system，嵌入式文件系統(tǒng)，傳統(tǒng)NV的擴展）。
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