程序存儲器與數(shù)據(jù)存儲器區(qū)別總結(jié)

（4）      E2PROM（EEPROM）：E2PROM這是一種用電信號編程，也用電信號擦除的ROM芯片，對E2PROM的讀寫操作與RAM存儲器幾乎沒有什么差別，只是寫入的速度慢一些，但掉電后仍能保存信息。

（5）      Flash ROM：FlashROM又稱為閃速存儲器（簡稱閃存），F(xiàn)lashROM是在EPROM，E2PROM的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種電擦除型只讀存儲器。其特點是可快速在線修改其存儲單元中的數(shù)據(jù)，改寫次數(shù)可達1萬多次，其讀寫速度很快，存取時間可達70ns，而成本卻比E2PROM低得多，所以現(xiàn)如今大多數(shù)單片機上應有的這種程序存儲器。

工作頻率范圍：0～40MHz，相當于普通8051 的0～80MHz，實際工作 頻率可達48MHz

1.      程序存儲器又分為片內(nèi)和片外兩部分。STC89C52 RC單片機片內(nèi)程序存儲器為8KB的Flash存儲器（Flash ROM），編程和擦除完全是電氣實現(xiàn)，且速度快。

當片內(nèi)8K的Flash的存儲器不夠用時，用戶可在片外擴展程序存儲器，最多64KB，但STC89C52RC單片機芯片只有片內(nèi)的8K Flash并沒有片外擴展。

2.      數(shù)據(jù)存儲器也分為片內(nèi)和片外，. 片上（片內(nèi)）集成512 字節(jié)RAM

51單片機的C語言中有個需要關(guān)注的概念就是變量或數(shù)據(jù)的存儲模式（PC機是否有類似的情況我不了解）。在C51中的存儲模式是data、bdata、idata、pdata、xdata、code共6種：

data、bdata、idata：就是說變量或數(shù)據(jù)位于單片機的內(nèi)部RAM中（ST89C52有256字節(jié)），訪問速度最快。

pdata、xdata：就是說變量或數(shù)據(jù)位于擴展的外部RAM（其實是相對來說的，還是片內(nèi)RAM中）中（ST89C52內(nèi)集成了256字節(jié)），相對內(nèi)部RAM訪問速度要慢。

3.   當片內(nèi)RAM中不夠用時，又給用戶提供了在片外可擴展至64KB RAM功能。

4.   E2PROM :2KB

2. 數(shù)據(jù)存儲器：

RAM(Random Access Memory) 隨機存儲器。存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關(guān)的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內(nèi)容，故主要用于存儲短時間使用的程序。 按照存儲信息的不同，隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器（Static RAM,SRAM)和動態(tài)隨機存儲器（Dynamic RAM,DRAM)。

SRAM（Static RAM）不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。

DRAM（Dynamic RAM）每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。

因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲器要占用一部分面積。

SRAM的速率高、性能好，它主要有如下應用：

1）CPU與主存之間的高速緩存。

2）CPU內(nèi)部的L1／L2或外部的L2高速緩存。

SSRAM（Synchronous SRAM）即同步靜態(tài)隨機存取存儲器。同步是指Memory工作需要同步時鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準；隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。

對于SSRAM的所有訪問都在時鐘的上升/下降沿啟動。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號均于時鐘信號相關(guān)。這一點與異步SRAM不同，異步SRAM的訪問獨立于時鐘，數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。

SDRAM（Synchronous DRAM）即同步動態(tài)隨機存取存儲器。同步是指 Memory工作需要同步時鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準；動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是自由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。

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