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2019-8-22 14:28 上傳
閘極加入正電壓時(shí)，通道內(nèi)之正電荷被排斥，而源極與汲極之負(fù)電荷被吸引而移向閘極。
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2019-8-22 14:28 上傳
閘極加入更多的正電壓，源極與汲極的負(fù)電荷受到更大的吸引，向通道移動(dòng)。
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2019-8-22 14:29 上傳
當(dāng)閘極的電壓足夠大時(shí)(大於臨界電壓)，氧化層下充滿負(fù)電荷而形成通道，電晶體成為導(dǎo)通狀態(tài)。
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2019-8-22 14:29 上傳
結(jié)論
•NMOS電晶體在閘極不加電壓時(shí)，呈現(xiàn)所謂的“截止狀態(tài)”。不論源汲極間電壓為何，源汲極無法導(dǎo)通。
• 當(dāng)NMOS之閘極電壓大於某臨界電壓值時(shí)，電晶體呈現(xiàn)所謂的“導(dǎo)通狀態(tài)”，源汲極間電流可流通。
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2019-8-22 14:30 上傳
PMOS的改進(jìn)
• 另一種方式
– 將通道加上正電壓，則閘極就形成相對負(fù)電
– 此時(shí)閘極接地就可產(chǎn)生通道現(xiàn)像
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2019-8-22 14:30 上傳
PMOS的工作原理
• 閘極為0時(shí)，通道導(dǎo)通
• 閘極為1時(shí)，通道反而不通
• 但是基底要接上正電源
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2019-8-22 14:31 上傳
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2019-8-22 09:46 上傳
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