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【Arduino】168種傳感器系列實驗(137)---2路I2C電平轉(zhuǎn)換模塊

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ID:513258 發(fā)表于 2020-2-3 16:53 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
本帖最后由 eagler8 于 2020-2-3 16:54 編輯

37款傳感器與模塊的提法,在網(wǎng)絡(luò)上廣泛流傳,其實Arduino能夠兼容的傳感器模塊肯定是不止37種的。鑒于本人手頭積累了一些傳感器和模塊,依照實踐出真知(一定要動手做)的理念,以學(xué)習(xí)和交流為目的,這里準備逐一動手試試做實驗,不管成功與否,都會記錄下來---小小的進步或是搞不定的問題,希望能夠拋磚引玉。

【Arduino】168種傳感器模塊系列實驗(資料+代碼+圖形+仿真)
實驗一百三十七:IIC I2C電平轉(zhuǎn)換模塊 5-3v系統(tǒng)兼容 2路


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ID:513258 發(fā)表于 2020-2-3 16:56 | 顯示全部樓層
本帖最后由 eagler8 于 2020-2-3 17:49 編輯

場效應(yīng)管
Field Effect Transistor縮寫(FET)簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。場效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電,又稱單極型晶體管。

場效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場效應(yīng)管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是既有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,被稱之為雙極型器件。有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比三極管好。場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。
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作用
1.場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。
2.場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3.場效應(yīng)管可以用作可變電阻。
4.場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。
5.場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。


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ID:513258 發(fā)表于 2020-2-3 17:02 | 顯示全部樓層
模塊使用的BSS138LT1貼片MOS場效應(yīng)管


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ID:513258 發(fā)表于 2020-2-3 17:04 | 顯示全部樓層
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ID:513258 發(fā)表于 2020-2-3 17:04 | 顯示全部樓層
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ID:513258 發(fā)表于 2020-2-3 17:48 | 顯示全部樓層
本帖最后由 eagler8 于 2020-2-4 07:41 編輯

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一個IIC的5V和3.3V電平轉(zhuǎn)換的經(jīng)典電路

雙向傳輸原理:
為了方便講述,定義 3.3V 為 A 端,5.0V 為 B 端。

A端輸出低電平時(0V)  ,MOS管導(dǎo)通,B端輸出是低電平(0V)
A端輸出高電平時(3.3V),MOS管截至,B端輸出是高電平(5V)
A端輸出高阻時(OC)    ,MOS管截至,B端輸出是高電平(5V)

B端輸出低電平時(0V)  ,MOS管內(nèi)的二極管導(dǎo)通,從而使MOS管導(dǎo)通,A端輸出是低電平(0V)
B端輸出高電平時(5V)  ,MOS管截至,A端輸出是高電平(3.3V)
B端輸出高阻時(OC)    ,MOS管截至,A端輸出是高電平(3.3V)
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優(yōu)點:
1、適用于低頻信號電平轉(zhuǎn)換,價格低廉。
2、導(dǎo)通后,壓降比三極管小。
3、正反向雙向?qū),相?dāng)于機械開關(guān)。
4、電壓型驅(qū)動,當(dāng)然也需要一定的驅(qū)動電流,而且有的應(yīng)用也許比三極管大。

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ID:513258 發(fā)表于 2020-2-3 17:58 | 顯示全部樓層
本帖最后由 eagler8 于 2020-2-4 07:25 編輯

IIC I2C雙路電平轉(zhuǎn)換模塊
   由于部分單片機開發(fā)板和設(shè)備是3.3V工作的,而也有單片機開發(fā)板和設(shè)備、傳感器等是的5.0V工作電源,所以當(dāng)兩者需要通訊時,就出現(xiàn)了工作電壓不一致的情況,令用戶使用起來不方便。這個模塊就是針對這個問題和解決這個問題設(shè)計的,其在3.3V和5.0V的不同設(shè)備中提供了可行性,起了橋接的作用。

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ID:513258 發(fā)表于 2020-2-4 07:51 | 顯示全部樓層
IIC I2C雙路電平轉(zhuǎn)換模塊電原理示意圖
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ID:513258 發(fā)表于 2020-2-4 11:18 | 顯示全部樓層
模塊特點
1、2個通道的高電壓邏輯和低電壓邏輯雙向轉(zhuǎn)換
2、2個通道的高電壓邏輯轉(zhuǎn)換成低電壓邏輯的單向轉(zhuǎn)換
3、模塊兼容面包板,可以直接插在面包板上使用
4、實現(xiàn)串口直接的 5V與3.3V電平通訊。
5、最高穩(wěn)定通信波特率28800bps。
6、UART、IIC、1-wire和SPI等總線信號3V-5V電平的雙向轉(zhuǎn)換。
7、可實現(xiàn)I2C雙向總線系統(tǒng)中3.3V與5V電平的雙向轉(zhuǎn)換,且不需要方向選擇信號,而且還能將掉電的總線部分和剩下的總線系統(tǒng)隔離開來,保護低壓器件防止高電壓器件的高電壓毛刺。
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ID:513258 發(fā)表于 2020-2-4 11:42 | 顯示全部樓層
接線說明
HV接5V電源
LV接3.3V電源
GND接電源負極,兩個電源公地
RXI輸入5v TTL,將在RXO輸出3.3v TTL
TXI輸入輸出3.3V TTL ,TXO輸入輸出5V TTL, TXI與TXO雙向互轉(zhuǎn)


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ID:513258 發(fā)表于 2020-2-4 18:17 | 顯示全部樓層
  1. /*
  2.   【Arduino】168種傳感器模塊系列實驗(資料+代碼+圖形+仿真)
  3.   實驗一百三十七:雙路IIC I2C電平轉(zhuǎn)換模塊 5-3v系統(tǒng)兼容
  4.   HV接5V電源
  5.   LV接3.3V電源
  6.   GND接電源負極
  7.   RXO接A0
  8.   RXI手動接5v
  9. */

  10. void setup()
  11. {
  12.   Serial.begin(9600);
  13.   pinMode(A0, INPUT);
  14. }
  15. void loop()
  16. {
  17.   int val = analogRead(A0);
  18.   Serial.println(val/155);
  19.   delay(300);
  20. }
復(fù)制代碼


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ID:513258 發(fā)表于 2020-2-4 18:18 | 顯示全部樓層
RXI手動接入5V,RXO轉(zhuǎn)換輸出3.3V(未接入時輸出0V)


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ID:513258 發(fā)表于 2020-2-4 18:27 | 顯示全部樓層
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ID:513258 發(fā)表于 2020-2-4 18:56 | 顯示全部樓層
實驗開源圖形編程(Mind+)

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ID:513258 發(fā)表于 2020-2-4 18:59 | 顯示全部樓層
模塊應(yīng)用范圍
1、5V單片機與3.3V單片機串口通信。
2、3.3V串口下載器與5V單片機串口通信。
3、5V單片機與3.3V應(yīng)用模塊串口通信。

模塊使用注意事項
1、如果高壓區(qū)和低壓區(qū)的電源已經(jīng)共地,這模塊中的GND只需接1根地即可。
2、該轉(zhuǎn)換模塊相當(dāng)于一條直線,每個端口都一一對應(yīng),只是兩邊的電壓不一樣,從而實現(xiàn)了不同電平之間的通訊。
3、本模塊不可以當(dāng)做穩(wěn)壓器或者變壓器的功能進行使用,只可以用于IO口電平之間的小電流的通訊。

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ID:513258 發(fā)表于 2020-2-4 19:09 | 顯示全部樓層
備注:在I2C電平轉(zhuǎn)換模塊的操作中要考慮下面的三種狀態(tài)——
  1、 沒有器件下拉總線線路。“低電壓”部分的總線線路通過上拉電阻Rp 上拉至3.3V。 MOS-FET 管的門極和源極都是3.3V, 所以它的VGS 低于閥值電壓,MOS-FET 管不導(dǎo)通。這就允許“高電壓”部分的總線線路通過它的上拉電阻Rp 拉到5V。 此時兩部分的總線線路都是高電平,只是電壓電平不同。
  2、 一個3.3V器件下拉總線線路到低電平。MOS-FET管的源極也變成低電平,而門極是3.3V。VGS上升高于閥值,MOS-FET管開始導(dǎo)通。然后“高電壓”部分的總線線路通過導(dǎo)通的MOS-FET管被3.3V器件下拉到低電平。此時,兩部分的總線線路都是低電平,而且電壓電平相同。
  3、 一個5V的器件下拉總線線路到低電平。MOS-FET管的漏極基底二極管“低電壓”部分被下拉直到VGS超過閥值,MOS-FET管開始導(dǎo)通。“低電壓”部分的總線線路通過導(dǎo)通的MOS-FET管被5V的器件進一步下拉到低電平。此時,兩部分的總線線路都是低電平,而且電壓電平相同。

這三種狀態(tài)顯示了邏輯電平在總線系統(tǒng)的兩個方向上傳輸,與驅(qū)動的部分無關(guān)。狀態(tài)1執(zhí)行了電平轉(zhuǎn)換功能。狀態(tài)2和3按照I2C總線規(guī)范的要求在兩部分的總線線路之間實現(xiàn)“線與”的功能。

主要優(yōu)點:
  1、適用于低頻信號電平轉(zhuǎn)換,價格低廉。
  2、導(dǎo)通后,壓降比三極管小。
  3、正反向雙向?qū),相?dāng)于機械開關(guān)。
  4、電壓型驅(qū)動,當(dāng)然也需要一定的驅(qū)動電流,而且有的應(yīng)用也許比三極管大。


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