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支持Xilinx FPGA中的32位 DDR4 SDRAM

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ID:273087 發(fā)表于 2020-5-18 16:26 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
盡管現(xiàn)代FPGA包含內(nèi)部存儲(chǔ)器,但可用存儲(chǔ)器的數(shù)量始終比專用存儲(chǔ)器芯片的存儲(chǔ)器數(shù)量級(jí)低幾個(gè)數(shù)量級(jí)。因此許多FPGA設(shè)計(jì)人員在其FPGA上附加某種類型的存儲(chǔ)器也就不足為奇了。由于其高速和低成本,SDRAM是非常流行的存儲(chǔ)器。它們不像靜態(tài)存儲(chǔ)器那樣容易控制,因此經(jīng)常使用SDRAM控制器。

FPGA器件屬于專用集成電路中的一種半定制電路,是可編程的邏輯列陣,能夠有效的解決原有的器件門電路數(shù)較少的問題。FPGA的基本結(jié)構(gòu)包括可編程輸入輸出單元,可配置邏輯塊,數(shù)字時(shí)鐘管理模塊,嵌入式塊RAM,布線資源,內(nèi)嵌專用硬核,底層內(nèi)嵌功能單元。由于FPGA具有布線資源豐富,可重復(fù)編程和集成度高,投資較低的特點(diǎn),在數(shù)字電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

對(duì)于控制器,針對(duì)的可能是最簡單的SDRAM:一款支持用于Xilinx FPGA或Altera FPGA中的32位DDR4 SDRAM。如Kintex Ultrascale FPGA中可支持32位DDR4 SDRAM,支持免費(fèi)送樣及測試。

32位 DDR4 SDRAM特征

•密度
-8Gb
•組織
-32M字×32位×8組
-無鉛/RoHS
•電源
-VDD=VDDQ=1.14V-1.26V
-VPP=2.375V–2.75V
•數(shù)據(jù)速率:
-3200Mbps/2933Mbps/2666Mbps/2400Mbps/
2133Mbps/1866Mbps/1600Mbps
•接口:偽漏極開路(POD)
•爆破長度(BL):爆破(BC)為8和4
•預(yù)充電:每個(gè)突發(fā)訪問自動(dòng)預(yù)充電選項(xiàng)
•刷新:自動(dòng)刷新,自刷新
•刷新周期
-平均刷新周期0℃≤TC≤+85℃時(shí)為7.8μs+85℃
<tc&le;+95℃時(shí)為3.9&mu;s
•工作箱溫度范圍
-商業(yè):TC=0℃至+95℃
-工業(yè):TC=-40℃至+95℃
•雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu):每個(gè)時(shí)鐘周期兩次數(shù)據(jù)傳輸
•高速數(shù)據(jù)傳輸通過8位預(yù)取流水線架構(gòu)實(shí)現(xiàn)
•雙向差分?jǐn)?shù)據(jù)選通(DQS_t和DQS_c)與數(shù)據(jù)一起發(fā)送/接收,以便在接收器處捕獲數(shù)據(jù)
•每個(gè)DRAM尋址能力(PDA)
每個(gè)DRAM可以分別設(shè)置不同的模式寄存器值,并可以單獨(dú)調(diào)整。
•細(xì)粒度刷新
2x,4x模式用于較小的tRFC
•最大的省電模式,功耗最低,無需內(nèi)部刷新
•可編程的部分陣列自刷新(PASR)
•RESET_n引腳用于上電序列和復(fù)位功能
</tc&le;+95℃時(shí)為3.9&mu;s
<tc&le;+95℃時(shí)為3.9&mu;s
規(guī)格書下載</tc&le;+95℃時(shí)為3.9&mu;s

<tc&le;+95℃時(shí)為3.9&mu;s
8Gbit DDR4(x32bit)_Datasheet_v1.0.pdf (1.49 MB, 下載次數(shù): 2)
</tc&le;+95℃時(shí)為3.9&mu;s

<tc&le;+95℃時(shí)為3.9&mu;s

電氣條件
絕對(duì)最大額定值


表1:絕對(duì)最大額定值


注意:
1. 大于絕對(duì)最大額定值列出的壓力可能會(huì)導(dǎo)致設(shè)備永久損壞。這僅是額定壓力,并不暗示在這些或任何其他條件(超出本規(guī)范的操作部分所指示的條件)下器件的功能運(yùn)行。長時(shí)間暴露在絕對(duì)最大額定值條件下可能會(huì)影響可靠性。

2. 存儲(chǔ)溫度是DRAM中心/頂側(cè)的外殼表面溫度。

3. VDD和VDDQ始終必須在300mV之內(nèi)。當(dāng)VDD和VDDQ小于500mV時(shí),VREFCA必須不大于0.6×VDDQ;VREFCA可以等于或小于300mV。

4.VPP必須始終等于或大于VDD/VDDQ。

工作溫度條件


表2:工作溫度條件


</tc&le;+95℃時(shí)為3.9&mu;s


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