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“MOSFET”是英文 MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor 的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2 或 SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。MOSFET的主要參數(shù)有ID,IDM，VGS,V(BR)DSS,RDS(on) ,VGS(th)等。
1、ID：最大漏源電流。是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許通過的最大電流。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過ID。此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額。
2、IDM：最大脈沖漏源電流。此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額。
3、VGS：最大柵源電壓。
4、V(BR)DSS：漏源擊穿電壓。是指柵源電壓VGS為0時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于V(BR)DSS。它具有正溫度特性。故應(yīng)以此參數(shù)在低溫條件下的值作為安全考慮。
5、RDS(on)：在特定的VGS（一般為10V）、結(jié)溫及漏極電流的條件下，MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏源間的最大阻抗。它是一個(gè)非常重要的參數(shù)，決定了MOSFET導(dǎo)通時(shí)的消耗功率。此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所增大。故應(yīng)以此參數(shù)在最高工作結(jié)溫條件下的值作為損耗及壓降計(jì)算。
6、VGS(th)：開啟電壓（閥值電壓）。當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓VGS超過VGS(th)時(shí)，漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道。應(yīng)用中，常將漏極短接條件下ID等于1毫安時(shí)的柵極電壓稱為開啟電壓。此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所降低。
7、PD：最大耗散功率。是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率。使用時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于PDSM并留有一定余量。此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額。
8、Tj：最大工作結(jié)溫。通常為150℃或175℃，器件設(shè)計(jì)的工作條件下須確應(yīng)避免超過這個(gè)溫度，并留有一定裕量。
功率 MOSFET 與雙極型功率相比具有如下特點(diǎn)：
1、MOSFET 是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件)，因此在驅(qū)動(dòng)大電流時(shí)無(wú)需推動(dòng)級(jí)，電路較簡(jiǎn)單；
2、輸入阻抗高；
3、工作頻率范圍寬，開關(guān)速度高(開關(guān)時(shí)間為幾十納秒到幾百納秒)，開關(guān)損耗�。�
4、有較優(yōu)良的線性區(qū)，并且 MOSFET 的輸入電容比雙極型的輸入電容小得多，所以它的交流輸入阻抗極高；噪聲也小，最合適制作 Hi-Fi 音響；
5、功率 MOSFET 可以多個(gè)并聯(lián)使用，增加輸出電流而無(wú)需均流電阻。
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