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STM32F407ZGT6自帶了192K字節(jié)的SRAM，對(duì)一般應(yīng)用來(lái)說(shuō)，已經(jīng)足夠了，不過(guò)在一些對(duì)內(nèi)存要求高的場(chǎng)合，STM32F4自帶的這些內(nèi)存就不夠用了。比如跑算法或者跑GUI等，就可能不太夠用，所以STM32F4開(kāi)發(fā)板板載了一顆1M字節(jié)容量的SRAM芯片，XM8A51216，滿(mǎn)足大內(nèi)存使用的需求。我們將使用STM32F4來(lái)驅(qū)動(dòng)XM8A51216，實(shí)現(xiàn)對(duì)XM8A51216的訪(fǎng)問(wèn)控制。
XM8A51216簡(jiǎn)介
XM8A51216是星憶存儲(chǔ)生產(chǎn)的一顆16位寬512K（512*16，即1M字節(jié)）容量的CMOS靜態(tài)內(nèi)存芯片。該芯片具有如下幾個(gè)特點(diǎn)：
⚫高速。具有最高訪(fǎng)問(wèn)速度10/12ns。
⚫低功耗。
⚫TTL電平兼容。
⚫全靜態(tài)操作。不需要刷新和時(shí)鐘電路。
⚫三態(tài)輸出。
⚫字節(jié)控制功能。支持高/低字節(jié)控制。
XM8A51216的功能框圖如圖1所示：
圖1 XM8A51216功能框圖
圖中A0~18為地址線(xiàn)，總共19根地址線(xiàn)（即2^19=512K，1K=1024）；DQ0~15為數(shù)據(jù)線(xiàn)，總共16根數(shù)據(jù)線(xiàn)。CEn是芯片使能信號(hào)，低電平有效；OEn是輸出使能信號(hào)，低電平有效；WEn是寫(xiě)使能信號(hào)，低電平有效；BLEn和BHEn分別是高字節(jié)控制和低字節(jié)控制信號(hào)；STM32F4開(kāi)發(fā)板使用的是TSOP44封裝的XM8A51216芯片，該芯片直接接在STM32F4的FSMC上，XM8A51216原理圖如圖2所示：
圖2 XM8A51216原理圖
從原理圖可以看出，XM8A51216同STM32F4的連接關(guān)系：
A[0:18]接FMSC_A[0:18]（不過(guò)順序錯(cuò)亂了）
D[0:15]接FSMC_D[0:15]
UB接FSMC_NBL1
LB接FSMC_NBL0
OE接FSMC_OE
WE接FSMC_WE
CS接FSMC_NE3
上面的連接關(guān)系，XM8A51216的A[0:18]并不是按順序連接STM32F4的FMSC_A[0:18]，不過(guò)這并不影響我們正常使用外部SRAM，因?yàn)榈刂肪哂形ㄒ恍�。所以只要地址線(xiàn)不和數(shù)據(jù)線(xiàn)混淆，就可以正常使用外部SRAM。這樣設(shè)計(jì)的好處，就是可以方便我們的PCB布線(xiàn)。
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2020-7-1 15:21 上傳
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