ISSI異步SRAM存儲芯片IS61LV25616AL功能簡介

ID:273087 · 發(fā)表于 2020-8-3 15:58

IS61LV25616AL是ISSI公司的一款容量為256Kx 16bits的且引腳功能完全兼容的4Mb的異步SRAM。也是一款大容量且存儲時間相對較短的存儲器。對其控制要求相對簡單。由一個高速、4,194,304 位的靜態(tài)RAM,可組成262,144個字(16位)。該器件由ISSI的高性能CMOS技術制造而成。將這種高可靠性的處理技術與創(chuàng)新的電路設計技術相結合，就產(chǎn)生了高性能和低功耗的IS61LV25616AL器件

特性
●高速訪問時間: 10,12ns
●CMOS低功耗工作
●低等待模式功率:小于CMOS 5mA (典型值)的等待電流
●TTL兼容接口電平
●單個3.3V電源
●完全靜態(tài)操作:無需時鐘和刷新
●三態(tài)輸出.
●高低字節(jié)數(shù)據(jù)控制
●可用的工業(yè)級溫度

IS61LV25616AL存儲器的結構框圖

當OE為高電平(不選)時，器件處于等待模式，功耗隨著CMOS輸入電平-起降低。

芯片使能輸入CE和輸出使能輸入OE可方便實現(xiàn)存儲器的擴展。低電平有效的寫使能( WE )控制著存儲器的寫和讀操作。高字節(jié)(UB)和低字節(jié)(LB )控制信號控制著對數(shù)據(jù)字節(jié)的訪問。

IS61LV25616AL含有以下封裝形式: JEDEC 標準44腳400-mil SOJ.44腳TSOPTypelI.44 腳LQFP和48腳MiniBGA(8mmX10mm)。

管腳配置

SRAM的主要特性

高速訪問時間10,12ns ;CMOS低功耗工作;低等待模式功率小于CMOS 5mA典型值的等待電流; TTL兼容接口電平;單個3.3V 電源;完全靜態(tài)操作無需時鐘和刷新;三態(tài)輸出;高低字節(jié)數(shù)據(jù)控制;可用的工業(yè)級溫度SRAM的生產(chǎn)廠商很多，但是所生產(chǎn)的SRAM的內(nèi)部結構大同小異

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