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據(jù)以上抬頭所述，相信大家都對(duì)這款有源RFID首款內(nèi)置125KHz的這芯片很感興趣，但是今天在介紹這款芯片前，需要大家先屬于我司前兩代的SI24R2E/SI24R2F芯片，因?yàn)镾I24R2H是在原有的產(chǎn)品上做迭代升級(jí)而來(lái)
更新情況：
1.Si24R2H在Si24R2F的基礎(chǔ)上增加了Si3933的125KHz低頻喚醒功能。
2.燒錄與Si24R2E一樣，都是通過(guò)上位機(jī)直接配置，無(wú)需編程。
3.Si24R2H可以外接NTC熱敏電阻采集溫度，偏差值±0.5℃。
4.最大發(fā)射功率12dBm,睡眠電流300nA（2.4G部分）
5.小尺寸 5*5 QFN32封裝
SI24R2H功能簡(jiǎn)述：
· 工作在 2.45GHz ISM 頻段
· 內(nèi)置 多次可編程 NVM 存儲(chǔ)器
· 具有超低功耗自動(dòng)發(fā)射功能
· 自動(dòng)發(fā)射模式下，支持 多個(gè)不同信道發(fā)射
· 支持發(fā)射數(shù)據(jù)加密
· 支持按鍵發(fā)射功能
· 具有低電壓自動(dòng)報(bào)警功能
· 集成溫度監(jiān)測(cè)和報(bào)警功能
· 具有防拆卸報(bào)警功能
· 集成防沖突通信機(jī)制
· 3.3V 編程電壓
· 調(diào)制方式：GFSK
· 數(shù)據(jù)速率：2Mbps/1Mbps/250Kbps
· 超低關(guān)斷電流：400nA
· 超低待機(jī)電流：22uA
· 快速啟動(dòng)時(shí)間： ≤ 130uS
· 寬電源電壓范圍：1.9-3.6V
· 寬數(shù)字 I/O 電壓范圍:1.9-5.25V
· 低成本晶振：16MHz±60ppm
· 最高發(fā)射功率：12dBm
· 發(fā)射電流: 16.8mA（0dBm)
· 最高 10MHz 四線 SPI 接口· 發(fā)射數(shù)據(jù)硬件中斷輸出
· QFN32封裝
· 替換 Si24R1/Si24R2/Si24R2E 發(fā)射功能
對(duì)有源RFID學(xué)校領(lǐng)域局勢(shì)有著重大的突破性的作用，有想進(jìn)一步了解的可進(jìn)一步聯(lián)系博主
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