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自旋轉(zhuǎn)移扭矩隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（STT-RAM）技術(shù)希望用其下一代MRAM取代DRAM，最終取代NAND。它結(jié)合了DRAM的成本優(yōu)勢(shì)，SRAM的快速讀寫(xiě)性能以及閃存的非易失性。據(jù)說(shuō)STT-RAM還解決了第一代現(xiàn)場(chǎng)交換MRAM的主要缺點(diǎn)。
STT-RAM作為通用的可擴(kuò)展存儲(chǔ)器具有巨大的潛在市場(chǎng)。它可以取代嵌入式SRAM和45nm的閃存，32nm的DRAM，并最終取代NAND。STT-RAM是一項(xiàng)很有前途的技術(shù)，從經(jīng)濟(jì)角度考慮，STT-RAM將取代DRAM還是NAND。
多年來(lái)，F(xiàn)eRAM，MRAM，相變，RRAM和其他技術(shù)的開(kāi)發(fā)人員分別聲稱(chēng)，它們將成為最終的通用存儲(chǔ)器，并取代當(dāng)今的存儲(chǔ)器。但是許多下一代存儲(chǔ)器類(lèi)型推向市場(chǎng)的時(shí)間很晚，還沒(méi)有達(dá)到高潮。并且今天的存儲(chǔ)器繼續(xù)擴(kuò)展，從而消除了對(duì)下一代存儲(chǔ)器類(lèi)型的需求。
任何這些新技術(shù)（例如–FRAM，MRAM和PCM）都有很多機(jī)會(huì)來(lái)替代現(xiàn)有技術(shù)。他們所要做的就是降低成本，使其低于已建立的內(nèi)存。聽(tīng)起來(lái)很簡(jiǎn)單，但實(shí)際上卻非常困難，這一挑戰(zhàn)使這些技術(shù)中的任何一種都無(wú)法達(dá)到臨界質(zhì)量。
MRAM是一種利用電子自旋的磁性來(lái)提供非易失性的存儲(chǔ)器。該技術(shù)具有無(wú)限的耐用性。STT-RAM是第二代磁性RAM技術(shù)，可以解決常規(guī)MRAM結(jié)構(gòu)帶來(lái)的一些問(wèn)題�，F(xiàn)在正在開(kāi)發(fā)的大多數(shù)MRAM都是通過(guò)施加由流過(guò)隧道磁阻（TMR）元件附近的導(dǎo)線的電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)來(lái)改變磁化強(qiáng)度來(lái)寫(xiě)入數(shù)據(jù)的。這可以實(shí)現(xiàn)快速操作。
飛思卡爾半導(dǎo)體公司的子公司Everspin將其16 Mbit MRAM定位為SRAM替換，數(shù)據(jù)保留和相關(guān)市場(chǎng)。在工業(yè)及相關(guān)的嵌入式應(yīng)用中，Everspin希望取代電池供電的SRAM或相關(guān)的分立解決方案，此舉威脅著賽普拉斯，ISSI，Maxim，意法半導(dǎo)體，TI等公司。
STT方法使用自旋極化電流來(lái)切換磁性位，這項(xiàng)技術(shù)消耗更少的功率并增強(qiáng)了可伸縮性。STT-RAM通過(guò)對(duì)齊流經(jīng)TMR元件的電子的自旋方向來(lái)寫(xiě)入數(shù)據(jù)。
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