DBF410/DBF310_ASEMI快充專用整流橋

相比傳統(tǒng)充電器，它有哪些優(yōu)勢(shì)？

1、充電效率高。氮化鎵的帶隙比硅高得多，這意味著它可以隨時(shí)間傳導(dǎo)更高的電壓。帶隙較大也意味著電流可以比硅更快地流過(guò)GaN制成的芯片，從而可以更快地進(jìn)行處理，充電更快。

2、散熱快。氮化鎵與前兩代的半導(dǎo)體相比，禁帶寬度大、導(dǎo)熱系數(shù)更高。而且可在200以上的高溫下工作，能承載更高的能量密度，可靠性高，能夠?qū)⑦^(guò)度充電的可能性最小化。

3、體積小。氮化鎵材料本身優(yōu)異的性能，使得做出來(lái)的氮化鎵比傳統(tǒng)硅基IGBT/MOSFET 等芯片面積更小，同時(shí)由于更耐高壓，大電流，氮化鎵芯片功率密度更大，因此功率密度/面積遠(yuǎn)超硅基。此外由于使用氮化鎵芯片還減少了周邊的其他元件的使用，電容、電感、線圈等被動(dòng)件比硅基方案少得多，也進(jìn)一步縮小了體積。