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RYBS3010_ASEMI充電器專用高效率軟橋-L 產(chǎn)品：RYBS3010 品牌：ASEMI 封裝：TMBF 電流：3A 電壓：1000V 特性：充電器快充橋堆 芯片材質(zhì)：GPP 引腳數(shù)量：4 應(yīng)用范圍：小功率開關(guān)電源，充電器，電源適配器，等相關(guān)電器產(chǎn)品。
體積小。氮化鎵材料本身優(yōu)異的性能，使得做出來的氮化鎵比傳統(tǒng)硅基IGBT/MOSFET 等芯片面積更小，同時由于更耐高壓，大電流，氮化鎵芯片功率密度更大，因此功率密度/面積遠超硅基。此外由于使用氮化鎵芯片還減少了周邊的其他元件的使用，電容、電感、線圈等被動件比硅基方案少得多，也進一步縮小了體積。
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2020-8-15 14:45 上傳
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