TT8M-ASEMI_65W氮化鎵快充貼片橋堆

ID:806209 · 發(fā)表于 2020-8-17 16:52

TT8M-ASEMI_65W氮化鎵快充貼片橋堆-ll

型號：TT8M

封裝：TMBF

電流：8A

電壓：1000V

特性：小貼片整流橋

應(yīng)用范圍：小功率開關(guān)電源，充電器，電源適配器，LED燈整流器等相關(guān)電器產(chǎn)品。

相比傳統(tǒng)充電器，它有哪些優(yōu)勢？

充電效率高。氮化鎵的帶隙比硅高得多，這意味著它可以隨時間傳導(dǎo)更高的電壓。帶隙較大也意味著電流可以比硅更快地流過GaN制成的芯片，從而可以更快地進行處理，充電更快。

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