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SI2308BDS-T1-GE3 場(chǎng)效應(yīng)管 pdf資料下載

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ID:351643 發(fā)表于 2020-9-17 15:25 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
技術(shù)參數(shù)
品牌：VISHAY/威世通
型號(hào)：SI2308BDS-T1-GE3
批號(hào)：19+
封裝：SOT-23
數(shù)量：12078
QQ：2355239042
制造商：Vishay
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
RoHS：是
技術(shù)：Si
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：SOT-23-3
通道數(shù)量：1 Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：60 V
Id-連續(xù)漏極電流：2.3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：156 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：1 V
Qg-柵極電荷：6.8 nC
最小工作溫度：- 55 C
最大工作溫度：+ 150 C
Pd-功率耗散：1.66 W
配置：Single
通道模式：Enhancement
商標(biāo)名：TrenchFET
封裝：Cut Tape
封裝：MouseReel
封裝：Reel
系列：SI2
晶體管類(lèi)型：1 N-Channel
商標(biāo)：Vishay Semiconductors
正向跨導(dǎo) - 最小值：5 S
下降時(shí)間：7 ns
產(chǎn)品類(lèi)型：MOSFET
上升時(shí)間：10 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
子類(lèi)別：MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：10 ns
典型接通延遲時(shí)間：4 ns
零件號(hào)別名：SI2308BDS-GE3
單位重量：8 mg

si2308bd.pdf (324.35 KB, 下載次數(shù): 4)


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