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SI2308BDS-T1-GE3 場效應(yīng)管 pdf資料下載

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ID:351643 發(fā)表于 2020-9-17 15:25 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
技術(shù)參數(shù)
品牌:VISHAY/威世通
型號:SI2308BDS-T1-GE3
批號:19+
封裝:SOT-23
數(shù)量:12078
QQ:2355239042
制造商:Vishay
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-23-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續(xù)漏極電流:2.3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:156 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
Qg-柵極電荷:6.8 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.66 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:TrenchFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
系列:SI2
晶體管類型:1 N-Channel
商標(biāo):Vishay Semiconductors
正向跨導(dǎo) - 最小值:5 S
下降時間:7 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:10 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:10 ns
典型接通延遲時間:4 ns
零件號別名:SI2308BDS-GE3
單位重量:8 mg

si2308bd.pdf (324.35 KB, 下載次數(shù): 4)


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