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MSB30M-ASEMI快恢復(fù)軟橋

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ID:806209 發(fā)表于 2020-9-18 14:33 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
編輯-LL
MSB30M-ASEMI快恢復(fù)軟橋
型號:MSB30M
品牌:ASEMI
封裝:MSB-4
電性參數(shù):3A 1000V
芯片材質(zhì):快恢復(fù)芯片
特性:貼片整流橋、快恢復(fù)軟橋
快充整流橋相比傳統(tǒng)充電器,它有哪些優(yōu)勢?
1、充電。氮化的帶隙比硅高得多,這意味著它可以隨時間傳導(dǎo)更高的電壓。帶隙較大也意味著電流可以比硅更快地流過GaN制成的芯片,從而可以更快地進(jìn)行處理,充電更快。


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