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金屬面晶體YSO110TR參數(shù)特點(diǎn)

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ID:372651 發(fā)表于 2020-10-9 14:19 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
      金屬面晶體YSO110TR
　　升級(jí)款貼片有源晶振,性能更優(yōu)
　　超小型SMD金屬封裝、可達(dá)工業(yè)級(jí)溫度
　　1612/2016/2520/3225/5032/7050六種封裝尺寸
　　符合RoHSren證、無鉛環(huán)保

　　金屬面晶體YSO110TR特點(diǎn)：
　　頻率范圍：1~54MHz
　　頻差(25℃)：±10PPM，±20PPM，or specify
　　老化(zui大)：±3PPM/年
　　溫度范圍：-40~+85℃
　　電壓：1.8~3.3V
　　輸出方式：CMOS
　　體積：1612,2016,2520,3225,5032,7050
　　取代型號(hào)：YSO211SR、YSO221SR、YSO321SR、YSO531SR、YSO751SR
　　應(yīng)用：WLAN、藍(lán)牙、DSC、DSL等IT產(chǎn)品

　　金屬面晶體YSO110TR電氣規(guī)格：
　　輸出頻率范圍：1~54MHz或指定
　　輸出類型：互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體
　　供電電壓：1.8V ~ 3.3V
　　振蕩模式：基本
　　頻率公差(25℃)：±10ppm、±20ppm，或另行規(guī)定
　　輸出負(fù)載：15pf,或指定
　　工作溫度范圍：-40~+85℃、-40~+125℃，或指定
　　頻率對(duì)溫度特性：±20ppm、±30ppm、±50ppm或指定
　　存儲(chǔ)溫度范圍：-55 ~ + 125℃
　　電壓Vol(zui大)/Vol(zui小)：90%Vddzui小/10%Vddzui大
　　對(duì)稱：45 ~ 55%
　　上升(Tr)/下降(Tf)時(shí)間：4nsmax。
　　啟動(dòng)時(shí)間：3 msmax。
　　頻率老化(at25℃)：±3ppm/yearMax

　　金屬面晶體YSO110TR包裝尺寸：

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