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金屬面晶體YSO110TR參數(shù)特點

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ID:372651 發(fā)表于 2020-10-9 14:19 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
      金屬面晶體YSO110TR
  升級款貼片有源晶振,性能更優(yōu)
  超小型SMD金屬封裝、可達工業(yè)級溫度
  1612/2016/2520/3225/5032/7050六種封裝尺寸
  符合RoHSren證、無鉛環(huán)保


  金屬面晶體YSO110TR特點:
  頻率范圍:1~54MHz
  頻差(25℃):±10PPM,±20PPM,or specify
  老化(zui大):±3PPM/年
  溫度范圍:-40~+85℃
  電壓:1.8~3.3V
  輸出方式:CMOS
  體積:1612,2016,2520,3225,5032,7050
  取代型號:YSO211SR、YSO221SR、YSO321SR、YSO531SR、YSO751SR
  應用:WLAN、藍牙、DSC、DSL等IT產(chǎn)品


  金屬面晶體YSO110TR電氣規(guī)格:
  輸出頻率范圍:1~54MHz或指定
  輸出類型:互補金屬氧化物半導體
  供電電壓:1.8V ~ 3.3V
  振蕩模式:基本
  頻率公差(25℃):±10ppm、±20ppm,或另行規(guī)定
  輸出負載:15pf,或指定
  工作溫度范圍:-40~+85℃、-40~+125℃,或指定
  頻率對溫度特性:±20ppm、±30ppm、±50ppm或指定
  存儲溫度范圍:-55 ~ + 125℃
  電壓Vol(zui大)/Vol(zui小):90%Vddzui小/10%Vddzui大
  對稱:45 ~ 55%
  上升(Tr)/下降(Tf)時間:4nsmax。
  啟動時間:3 msmax。
  頻率老化(at25℃):±3ppm/yearMax


  金屬面晶體YSO110TR包裝尺寸:

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