單片機(jī)開漏輸出上拉至12V的配置問題

ID:721008 · 發(fā)表于 2020-11-11 14:38

手里有一個(gè)N溝道的MOS管，想把它配置成開關(guān)用，其導(dǎo)通電壓信號(hào)由單片機(jī)送出，但是MOS管導(dǎo)通時(shí)的漏極（D）電壓要求為12V，因?yàn)閱纹瑱C(jī)輸出只有5V,所以想把IO口配置為開漏輸出，然后外部用10K電阻上拉到12V后再接MOS管的漏極。想問一下這樣做有沒有風(fēng)險(xiǎn)，會(huì)不會(huì)損壞單片機(jī)？希望大神予以賜教，感謝。

ID:626055 · 發(fā)表于 2020-11-11 15:24

原理上沒有什么問題，注意開關(guān)速度不要太快。如果太快由于CGD的耦合電容，可能把IO口燒壞。

ID:401564 · 發(fā)表于 2020-11-11 16:00

但凡是有點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)的,都不會(huì)給單片機(jī)的IO施加高于單片機(jī)VCC電源的電壓
從原理上來說,把單片機(jī)的IO設(shè)定為OD型輸出是可以的,但這本身也是要單片機(jī)運(yùn)行代碼之后才生效的,單片機(jī)上電復(fù)位就是默認(rèn)值,很有可能會(huì)燒壞單片機(jī)的IO
一般是用一個(gè)三極管或者M(jìn)OS來驅(qū)動(dòng)的,而且,個(gè)人感覺一般的5V單片機(jī)IO足以驅(qū)動(dòng)大多數(shù)的NMOS管了,不是高頻的話,不用12V來驅(qū)動(dòng)的

ID:213173 · 發(fā)表于 2020-11-11 16:06

一般單片機(jī)端口施加電壓不得大于VCC+0.5V。樓主所述NMOS管VGS±12V是極限指標(biāo)，通常低壓NMOS管VGS 起始導(dǎo)通電壓2~3V，4.5V即可深度飽和導(dǎo)通。就算耐壓幾百V的MOS管，典型應(yīng)用電路的驅(qū)動(dòng)電壓也不過10V。

ID:423511 · 發(fā)表于 2020-11-11 16:27

可采用光耦隔離電路實(shí)現(xiàn)。

ID:842160 · 發(fā)表于 2020-11-11 16:47

原理上沒問題，注意設(shè)置IO口的工作模式

ID:721008 · 發(fā)表于 2020-11-11 16:48

本帖最后由 ADMIN_ALLENY 于 2020-11-11 16:50 編輯

Y_G_G 發(fā)表于 2020-11-11 16:00
但凡是有點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)的,都不會(huì)給單片機(jī)的IO施加高于單片機(jī)VCC電源的電壓
從原理上來說,把單片機(jī)的IO設(shè)定為OD型 ...

很感謝您的指點(diǎn)，本人小白，作為初學(xué)者沒啥經(jīng)驗(yàn)。是這樣，單片機(jī)的IO口是可以驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通NMOS,我這邊是用想用四個(gè)NMOS當(dāng)做H橋電路來驅(qū)動(dòng)12V電機(jī)，當(dāng)Vg端用IO口來驅(qū)動(dòng)時(shí)，發(fā)現(xiàn)MOS管S端電壓很小，只有3點(diǎn)幾伏，電機(jī)速度很慢。然后發(fā)現(xiàn)通過增大Vg的電壓，然后S端的電壓也隨之變大，所以我才想把IO口模式設(shè)置為開漏，上拉到12V，就是想把Vs變大，可是測(cè)量的Vs只有5.7伏，拉不到12V。C:\Users\Administrator\Desktop

ID:339654 · 發(fā)表于 2020-11-11 17:02

可以用三極管將12V電壓與IO口隔離

ID:180919 · 發(fā)表于 2020-11-11 22:47

開關(guān)多數(shù)用P通道來開關(guān)正極.N通道的只能開關(guān)負(fù)極

ID:401564 · 發(fā)表于 2020-11-12 11:51

ADMIN_ALLENY 發(fā)表于 2020-11-11 16:48
很感謝您的指點(diǎn)，本人小白，作為初學(xué)者沒啥經(jīng)驗(yàn)。是這樣，單片機(jī)的IO口是可以驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通NMOS,我這邊是用想 ...

百度一下H橋電路,基本就能找到電路的
初學(xué)最好就是直接買成品的馬達(dá)驅(qū)動(dòng),盡可能的保證問題不出現(xiàn)在硬件
PMOS管和NMOS管差不多是等效于PNP和NPN
不同的是,MOS管都自帶(寄生)一個(gè)二極管的,看元件符號(hào)就知道了,其它的用法跟三極管是一樣的以下是一個(gè)用三極管驅(qū)動(dòng)NMOS管的電路,低電導(dǎo)通,但沒有實(shí)際使用過,不知道MOS管會(huì)不會(huì)發(fā)熱,你可以試一下,一個(gè)H橋就是4個(gè)相同的電路

ID:687694 · 發(fā)表于 2020-11-12 16:17

本帖最后由 lovexulu 于 2020-11-12 16:19 編輯

不可以！三極管隔離可以，但因?yàn)槟闶掷锏墓茏邮荖溝，故驅(qū)動(dòng)要2只三極管隔離。

ID:687694 · 發(fā)表于 2020-11-12 18:43

Y_G_G 發(fā)表于 2020-11-12 11:51
百度一下H橋電路,基本就能找到電路的
初學(xué)最好就是直接買成品的馬達(dá)驅(qū)動(dòng),盡可能的保證問題不出現(xiàn)在硬件
...

這個(gè)電路貌似不一定能正常工作，因?yàn)镚S 電壓（1，2腳）并不一定能大于閾值電壓。mos管會(huì)工作在放大態(tài)，會(huì)發(fā)熱。負(fù)載會(huì)抬高S腳電壓。

ID:687694 · 發(fā)表于 2020-11-12 18:57

低壓驅(qū)動(dòng)高壓非隔離式，N溝管。驅(qū)動(dòng)電流小于1ma。

ID:160500 · 發(fā)表于 2020-11-12 19:01

單片機(jī)IO直接12V是不行的。仔細(xì)看一下datasheet就知道，IO口是有一個(gè)最大電壓的，一般不超過VCC+0.3
或者VCC+0.7，超過會(huì)有燒毀IO腳或者整個(gè)MCU的風(fēng)險(xiǎn)

ID:128695 · 發(fā)表于 2020-11-12 23:07

小電流的h橋一般上管用P下管用N比較多，如果都使用N管，一般上管需要專門的帶有升壓/電荷泵功能的mos驅(qū)動(dòng)芯片來產(chǎn)生超過電源電壓的G級(jí)驅(qū)動(dòng)電壓，否則容易讓管子開通不完全，進(jìn)入線性區(qū)導(dǎo)致?lián)p耗過大燒毀的；回到題目的問題，單片機(jī)一般不能這么使用，開漏模式施加超過io耐壓的電壓會(huì)損壞mcu，對(duì)于電源電壓12V沒超過mos的vgs耐壓情況，可以把上管換為p管，并在單片機(jī)io后加cd4011用來驅(qū)動(dòng)，參考附件電路

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