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編輯-LL 9N90-ASEMI小功率N溝道MOS管 型號：9N90 品牌：ASEMI 封裝：TO-220 正向電流：9A 反向耐壓：900V 工作溫度：-55~150°C MOSFET共有三個腳，一般為G、D、S，通過G、S間加控制信號時可以改變D、S間的導通和截止。PMOS和NMOS在結構上完全相像，所不同的是襯底和源漏的摻雜類型。簡單地說，NMOS是在P型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成N型的摻雜區(qū)，作為NMOS的源漏區(qū)；PMOS是在N型硅的襯底上，通過選擇摻雜形成P型的摻雜區(qū)，作為PMOS的源漏區(qū)。兩塊源漏摻雜區(qū)之間的距離稱為溝道長度L，而垂直于溝道長度的有效源漏區(qū)尺寸稱為溝道寬度W。對于這種簡單的結構，器件源漏是完全對稱的，只有在應用中根據(jù)源漏電流的流向才能后確認具體的源和漏。
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