SYM601-ASEMI小功率MOS管1A 600V

ID:806209 · 發(fā)表于 2020-11-18 14:16

編輯：LL

ASEMI品牌 MOS管 SYM601 600V MOSFET

型號(hào)：SYM601

封裝：SOT-89

漏極電流（VDS）：1A

漏源電壓（ID）：600V

工作溫度：-55℃~150℃

封裝形式：貼片

種類：場(chǎng)效應(yīng)晶體管/MOSFET/MOS管

品牌：ASEMI

MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORK FUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個(gè)小電場(chǎng)。在器件中，這個(gè)電場(chǎng)使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負(fù)電位。

ID:97838 · 發(fā)表于 2021-3-17 20:21

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SYM601-ASEMI小功率MOS管​1A 600V