MOS降低發(fā)熱功耗除了并聯(lián) 還有其他的方法不？電流是不能變的。并聯(lián)雖然內(nèi)阻可以...

ID:668004 · 發(fā)表于 2020-11-23 11:56

MOS降低發(fā)熱功耗除了并聯(lián) 還有其他的方法不？電流是不能變的。并聯(lián)雖然內(nèi)阻可以減小，不過好像會(huì)影響同步的開關(guān)速度。不同步開關(guān)的話MOS可能就燒了

ID:466505 · 發(fā)表于 2020-11-23 16:42

還有零電壓關(guān)斷或零電流關(guān)斷

ID:47367 · 發(fā)表于 2020-11-23 17:04

增加開關(guān)速度可以減少開關(guān)損耗

ID:47367 · 發(fā)表于 2020-11-23 17:04

減少開關(guān)損耗

ID:668004 · 發(fā)表于 2020-11-23 18:15

hcfat51h 發(fā)表于 2020-11-23 16:42
還有零電壓關(guān)斷或零電流關(guān)斷

如何實(shí)現(xiàn)

ID:258566 · 發(fā)表于 2020-11-23 18:58

zvs，zcs 電源可以，電機(jī)驅(qū)動(dòng)不了解

ID:814525 · 發(fā)表于 2020-11-23 20:14

提升驅(qū)動(dòng)電壓和電流，開關(guān)頻率盡可能降到能接受的范圍

ID:468262 · 發(fā)表于 2020-11-24 10:35

張?zhí)鞄?發(fā)表于 2020-11-23 20:14
提升驅(qū)動(dòng)電壓和電流，開關(guān)頻率盡可能降到能接受的范圍

開關(guān)頻率增加才對(duì)，用16KHz , 調(diào)節(jié)占空比控制電流，占空比不能超過80%

ID:309320 · 發(fā)表于 2020-11-24 11:18

試試可不可以搞成同步整流之類的，可以減小損耗，不過導(dǎo)通損耗不會(huì)減少

ID:981034 · 發(fā)表于 2021-11-24 17:18

加散熱器

ID:1059013 · 發(fā)表于 2024-7-6 21:03

并聯(lián)同時(shí)要增加驅(qū)動(dòng)芯片

ID:1128407 · 發(fā)表于 2024-7-7 19:20

實(shí)現(xiàn)ZVS 零電壓關(guān)斷，是可以減少功耗的

ID:879348 · 發(fā)表于 2024-7-8 08:24

只能改善驅(qū)動(dòng)和散熱，這個(gè)內(nèi)阻已經(jīng)很低了

ID:420836 · 發(fā)表于 2024-7-8 09:10

選擇具有更高電流額定值和更低導(dǎo)電Rds的MOSFET。

ID:1079566 · 發(fā)表于 2024-7-8 09:40

并聯(lián)管子, 主要還是單個(gè)管子的允許功耗是有限的,

多個(gè)管子的散熱的成本要低于單個(gè)管子(總功耗相同的情況下) 單個(gè)管子熱量如果傳導(dǎo)出去,溫升會(huì)超標(biāo).每個(gè)封裝,它的導(dǎo)熱系數(shù),導(dǎo)熱面積是有限的.

D2-PAD封裝, 熱阻大概是40~60度/W. 如果功耗是2W, 單個(gè)管子就超標(biāo)了,2個(gè)管子,每個(gè)管子功耗就是原來的一半.溫升就在使用范圍內(nèi).
有條件,選擇TO-220類的封裝,容易另加散熱片,減小熱阻.當(dāng)然要看產(chǎn)品允許空間.
降低功耗, 如改變開關(guān)頻率, 改善開關(guān)管開關(guān)速度, 實(shí)際大部分成熟的電路,改善余度有限. 這也就是實(shí)際使用中,普遍使用管子子并聯(lián).

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