MOS降低發(fā)熱功耗除了并聯(lián) 還有其他的方法不？電流是不能變的。并聯(lián)雖然內阻可以...

ID:668004 · 發(fā)表于 2020-11-23 11:56

MOS降低發(fā)熱功耗除了并聯(lián) 還有其他的方法不？電流是不能變的。并聯(lián)雖然內阻可以減小，不過好像會影響同步的開關速度。不同步開關的話MOS可能就燒了

ID:466505 · 發(fā)表于 2020-11-23 16:42

還有零電壓關斷或零電流關斷

ID:47367 · 發(fā)表于 2020-11-23 17:04

增加開關速度可以減少開關損耗

ID:47367 · 發(fā)表于 2020-11-23 17:04

減少開關損耗

ID:668004 · 發(fā)表于 2020-11-23 18:15

hcfat51h 發(fā)表于 2020-11-23 16:42
還有零電壓關斷或零電流關斷

如何實現(xiàn)

ID:258566 · 發(fā)表于 2020-11-23 18:58

zvs，zcs 電源可以，電機驅動不了解

ID:814525 · 發(fā)表于 2020-11-23 20:14

提升驅動電壓和電流，開關頻率盡可能降到能接受的范圍

ID:468262 · 發(fā)表于 2020-11-24 10:35

張?zhí)鞄?發(fā)表于 2020-11-23 20:14
提升驅動電壓和電流，開關頻率盡可能降到能接受的范圍

開關頻率增加才對，用16KHz , 調節(jié)占空比控制電流，占空比不能超過80%

ID:309320 · 發(fā)表于 2020-11-24 11:18

試試可不可以搞成同步整流之類的，可以減小損耗，不過導通損耗不會減少

ID:981034 · 發(fā)表于 2021-11-24 17:18

加散熱器

ID:1059013 · 發(fā)表于 2024-7-6 21:03

并聯(lián)同時要增加驅動芯片

ID:1128407 · 發(fā)表于 2024-7-7 19:20

實現(xiàn)ZVS 零電壓關斷，是可以減少功耗的

ID:879348 · 發(fā)表于 2024-7-8 08:24

只能改善驅動和散熱，這個內阻已經很低了

ID:420836 · 發(fā)表于 2024-7-8 09:10

選擇具有更高電流額定值和更低導電Rds的MOSFET。

ID:1079566 · 發(fā)表于 2024-7-8 09:40

并聯(lián)管子, 主要還是單個管子的允許功耗是有限的,

多個管子的散熱的成本要低于單個管子(總功耗相同的情況下) 單個管子熱量如果傳導出去,溫升會超標.每個封裝,它的導熱系數(shù),導熱面積是有限的.

D2-PAD封裝, 熱阻大概是40~60度/W. 如果功耗是2W, 單個管子就超標了,2個管子,每個管子功耗就是原來的一半.溫升就在使用范圍內.
有條件,選擇TO-220類的封裝,容易另加散熱片,減小熱阻.當然要看產品允許空間.
降低功耗, 如改變開關頻率, 改善開關管開關速度, 實際大部分成熟的電路,改善余度有限. 這也就是實際使用中,普遍使用管子子并聯(lián).

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MOS降低發(fā)熱功耗 除了并聯(lián) 還有其他的方法不？電流是不能變的。并聯(lián)雖然內阻可以...

MOS降低發(fā)熱功耗除了并聯(lián) 還有其他的方法不？電流是不能變的。并聯(lián)雖然內阻可以...