W25M02_W25N01中文版+原版(70%中文）芯片手冊下載

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2020-12-5 16:40 上傳

標準 SPI 指令使用單向 DI（輸入）引腳將指令、地址或數(shù)據(jù)串行寫入串行時鐘（CLK）輸入引腳上升沿上的設備 標準 SPI 還使用單向 DO（輸出）來從 CLK 下降沿上的設備讀取數(shù)據(jù)或狀態(tài)。

標準 SPI 說明 W25M02GV 通過 SPI 兼容總線訪問，該總線由四個信號組成： 串行時鐘（CLK）、芯片選擇（/CS）、串行數(shù)據(jù)輸入（DI）和串行數(shù)據(jù)輸出（DO）。

DO 輸出引腳用于從 CLK 下降沿上的設備讀取數(shù)據(jù)或狀態(tài)。 支持 SPI 總線操作模式 0（0,0）和 3（1,1）。

模式 0 和模式 3 之間的主要區(qū)別在于當 SPI 總線主機處于待機狀態(tài)且數(shù)據(jù)未傳輸?shù)酱虚W存時，CLK 信號的正常狀態(tài)。 對于模式 0，CLK 信號在/CS 的下降和上升邊緣通常較低。

為每個堆疊的 W25N01GV 模具提供三個狀態(tài)寄存器： 保護寄存器（SR-1）、配置寄存器（SR-2）和狀態(tài)寄存器（SR-3）。 每個寄存器分別由讀狀態(tài)寄存器和寫狀態(tài)寄存器命令結(jié)合 1 字節(jié)寄存器地址訪問。

讀取狀態(tài)寄存器指令（05h/0Fh）可用于提供有關(guān)閃存陣列可用性的狀態(tài)， 無論設備是寫啟用還是禁用、寫入保護狀態(tài)、讀取模式、保護寄存器/OTP 區(qū)域鎖定狀態(tài)、擦除/程序結(jié)果、ECC 使用/狀態(tài)。

與狀態(tài)寄存器的塊保護位 BP[3:0]和狀態(tài)寄存器 Protect SRP bits SRP[1:0]一起使用時，小到 256K 字節(jié)（2x128KB 塊）或最多整個 內(nèi)存陣列的一部分都可以受到硬件保護。

/WP 引腳作為四重 SPI 操作的數(shù)據(jù)輸入/輸出引腳，以及用于 SR-1 寫保護功能的有源低輸入引腳。 有關(guān)詳細信息，請參閱第 7.1.3 節(jié)。

當 WP-E=1 時，設備處于硬件保護模式，即/WP 成為整個設備寫保護的專用有源低輸入引腳。 如果/WP 連接到 GND，則所有“寫入/編程/擦除”功能都將被禁用。 整個設備（包括所有寄存器、內(nèi)存陣列、OTP 頁）將變?yōu)橹蛔x。

當（/HOLD）低時，/CS 低時，DO 引腳將處于高阻抗狀態(tài)，DI 和 CLK 引腳上的信號將被忽略（無所謂）。 當（/HOLD）被調(diào)高時，設備操作可以恢復。

當發(fā)出 Quad SPI Read/Buffer Load 命令時，（/HOLD）pin 將成為 Quad 操作的數(shù)據(jù) I/O pin，并且在當前 Quad 操作完成之前沒 有可用的 HOLD 函數(shù)。

塊保護位（BP3、BP2、BP1、BP0 和 TB）是狀態(tài)寄存器 1（S6、S5、S4、S3 和 S2）中的易失性讀/寫位，提供寫保護控制和狀態(tài)。 塊保護位可以使用寫入狀態(tài)寄存器指令進行設置。內(nèi)存陣列的所有、無或一部分都可以受到程序和擦除指令的保護（請參閱狀態(tài)寄存器內(nèi)存保護表）。

塊保護位的默認值在通電后為 1，以保護整個陣列。 需要清零這些保護位才能進行擦除操作和編程操作(寫入數(shù)據(jù)操作) 如果配置寄存器（SR-2）中的 SR1-L 位設置為 1，則默認值為 OTP 鎖定的值。

寫保護啟用位（WP-E）是狀態(tài)寄存器 1（S1）中的易失性讀/寫位。 WP-E 位與 SRP1 和 SRP0 一起控制寫保護的方法： 軟件保護，硬件保護、電源鎖定或一次性可編程（OTP）保護、/WP 引腳功能和四重 SPI 操作啟用/禁用。

當 WP-E=0（默認值）時，設備處于軟件保護模式，/WP&/HOLD 管腳被多路復用為 IO 管腳，并且四路程序/讀取功能一直處于啟 用狀態(tài)。

狀態(tài)寄存器保護位（SRP1 和 SRP0）是狀態(tài)寄存器（S0 和 S7）中的易失性讀/寫位。 SRP 位控制寫保護的方法：軟件保護，硬件保護，電源鎖定或一次性可編程（OTP）保護。

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2020-12-5 16:42 上傳

只能向 OTP 區(qū)域發(fā)出程序命令，將數(shù)據(jù)從“1”更改為“0”，并且數(shù)據(jù)不能通過 Erase 命令可逆（“0”到“1”）。 一旦正確的數(shù)據(jù)被編程和驗證，系統(tǒng)開發(fā)人員可以將 OTP-L 位設置為1，這樣整個 OTP 區(qū)域?qū)⒈绘i定，以防止對數(shù)據(jù)的進一步修改。

OTP-E 位必須設置為 1，以便使用標準程序/讀取命令訪問 OTP 區(qū)域以及讀取唯一的 ID/參數(shù)頁信息。 通電命令后的默認值為 0 或復位。

內(nèi)部 ECC 計算在頁面編程期間完成，結(jié)果存儲在每個頁面的額外 64 字節(jié)區(qū)域中。 在數(shù)據(jù)讀取操作期間，ECC 引擎將根據(jù)先前存儲的 ECC 信息驗證數(shù)據(jù)值，并在需要時進行必要的更正。 驗證和校正狀態(tài)由 ECC 狀態(tài)位指示。

每個堆疊的 W25N01GV 芯片為讀取操作提供兩種不同的模式，緩沖區(qū)讀取模式（BUF=1）和連續(xù)讀取模式（BUF=0）。 在任何讀取操作之前，需要一個頁面數(shù)據(jù)讀取命令來啟動從內(nèi)存數(shù)組中的指定頁到數(shù)據(jù)緩沖區(qū)的數(shù)據(jù)傳輸。 默認情況下，通電后，第 0 頁中的數(shù)據(jù)將自動加載到數(shù)據(jù)緩沖區(qū)中，設備已準備好接受任何讀取命令。

緩沖區(qū)讀取模式（BUF=1）需要一個列地址來開始輸出數(shù)據(jù)緩沖區(qū)內(nèi)的現(xiàn)有數(shù)據(jù)， 一旦到達數(shù)據(jù)緩沖區(qū)（字節(jié) 2111）的末尾，DO（IO1）引腳將變?yōu)?high-Z 狀態(tài)。 連續(xù)讀取模式（BUF=0）不需要起始列地址。 設備將始終從數(shù)據(jù)緩沖區(qū)的第一列（字節(jié) 0）開始輸出數(shù)據(jù)， 一旦到達數(shù)據(jù)緩沖區(qū)（字節(jié) 2048）的末尾，數(shù)據(jù)輸出將繼續(xù)通過下一個內(nèi)存頁。 在連續(xù)讀取模式下，可以使用單個讀取命令讀取整個內(nèi)存陣列。

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2020-12-5 16:43 上傳

為了方便 NAND 閃存壞塊管理，每個堆疊的 W25N01GV 芯片都配備了內(nèi)部壞塊管理查找表（BBM LUT）。 一個好的內(nèi)存塊可以替換多達 20 個壞內(nèi)存塊。 塊的地址作為邏輯塊地址（LBA，壞塊）和物理塊地址（PBA，good 塊）存儲在內(nèi)部查找表中。

LUT-F 位指示 20 個存儲器塊鏈路是否已被充分利用。 LUT-F 的默認值為 0，一旦全部 20 個鏈路都被使用， LUT-F 將變?yōu)?1，并且不可能建立更多的存儲塊鏈路。

在 NAND 閃存中使用 ECC 功能來糾正讀取操作中的有限內(nèi)存錯誤。 讀取操作完成后，應檢查 ECC 狀態(tài)位（ECC-1、ECC-0），以驗證數(shù)據(jù)的完整性。 如果 ECC-E=0，ECC 狀態(tài)位值不重要。 在通電循環(huán)或復位命令后，這些位將被清除為 0。

程序/擦除失敗位用于指示內(nèi)部控制的程序/擦除操作是否成功執(zhí)行。 當向鎖定或受保護的存儲器陣列或 OTP 區(qū)域發(fā)出程序或擦除命令時，這些位也將被分別設置。 在程序執(zhí)行或塊擦除指令以及設備復位指令開始時，這兩個位都將被清除。

寫啟用閂鎖（WEL）是狀態(tài)寄存器（S1）中的一個只讀位，在執(zhí)行寫啟用指令后被設置為 1。 當設備被禁用寫入時，WEL 狀態(tài)位被清除為 0。 寫入禁用狀態(tài)在通電時或以下任何指令之后發(fā)生：

BUSY 是狀態(tài)寄存器（S0）中的只讀位， 當設備通電或執(zhí)行頁面數(shù)據(jù)讀取、壞塊管理、程序執(zhí)行、塊擦除、OTP 區(qū)域的程序執(zhí)行、 OTP 鎖定或連續(xù)讀取指令之后，該位被設置為 1 狀態(tài)。 在此期間，設備將忽略除讀取狀態(tài)寄存器和讀取 JEDEC ID 指令以外的其他指令。 當程序、擦除或?qū)懭霠顟B(tài)寄存器指令完成時，忙位將被清除

狀態(tài)寄存器 1/保護寄存器：Addr=Axh 狀態(tài)寄存器 2/配置寄存器：Addr=Bxh 狀態(tài)寄存器3/狀態(tài)寄存器：Addr=Cxh

11、對于連續(xù)讀取模式下的所有讀取操作，一旦/CS 信號被調(diào)高以終止讀取操作，設備仍將保持忙碌狀態(tài)~5us（busy=1），并且數(shù)據(jù) 緩沖區(qū)內(nèi)的所有數(shù)據(jù)都將丟失，無法可靠使用。

12、對于緩沖區(qū)讀取模式下的所有讀取操作，一旦/CS 信號變?yōu)楦咭越K止讀取操作，設備將準備好接受新的指令，并且數(shù)據(jù)緩沖區(qū)內(nèi) 的所有數(shù)據(jù)將與上一頁數(shù)據(jù)讀取指令保持不變。

每個疊層模具都有工廠預先指定的“模具 ID”，順序為 0x00、0x01 等。 在任何給定的時間，W25M 包內(nèi)只能有一個活動的模具，用于與外部 SPI 控制器通信。 通電后，模具 0 始終為活動模具。

“并行操作”可以通過分配當前活動的模具來執(zhí)行需要一定時間才能完成的擦除/程序操作來實現(xiàn)。 當內(nèi)部程序/擦除操作正在進行時，控制器可以發(fā)出“軟件模具選擇（C2h）”指令來選擇另一個要激活的模具。 根據(jù)系統(tǒng)要求，可以在新選擇的活動模具上執(zhí)行讀取、編程或擦除操作。 “邊讀邊程序/擦除”或“多芯片程序/擦除”可以以這種方式執(zhí)行，以提高系統(tǒng)程序/擦除吞吐量，并避免在某些應用程序中持續(xù)的 程序/擦除掛起和恢復活動。

在設備加電和復位期間，建議不要發(fā)出“軟件模具選擇（C2h）”命令，以避免設備可能的未知狀態(tài)。 最小 tVSL（見第 56 頁）和最大 tRST（見第 60 頁）值可分別應用于“軟件模具選擇（C2h）”命令。

如果發(fā)送到設備的模具 ID 錯誤，則兩個堆疊的 W25N01GV 模具都可能閑置。 在這種情況下，應發(fā)出一個新的“軟件模具選擇（C2h）”命令， 后跟正確的模具 ID（0x00 或 0x01），以重新選擇激活的模具。

由于封裝小，引腳數(shù)量有限，W25M02GV 提供軟件復位指令，而不是專用復位引腳。 一旦復位指令被接受，任何正在進行的內(nèi)部操作都將被終止，設備將返回其默認上電狀態(tài)，并丟失所有當前易失性設置，例如易失性 狀態(tài)寄存器位。

一旦設備接受復位命令，設備將需要大約 tRST 來復位，根據(jù)設備正在執(zhí)行的當前操作，tRST 可以是 5us~500us。 在此期間，不接受任何命令。

此外，“軟件模具選擇（C2h）”不應在最大 tRST（500us）時間段內(nèi)發(fā)出，以避免由于模具的重置狀態(tài)而導致的模具選擇混亂。 當設備接受復位命令序列時，如果正在進行內(nèi)部擦除或程序操作，則可能會發(fā)生數(shù)據(jù)損壞。 建議在發(fā)出復位命令之前檢查狀態(tài)寄存器中的忙位。

Read JEDEC ID 指令與 2003 年采用的 SPI 兼容串行存儲器 JEDEC 標準兼容。 該指令通過驅(qū)動/CS 引腳低并移動指令代碼“9Fh”和 8 個假時鐘來啟動。

該指令通過驅(qū)動/CS low，并將指令代碼“0Fh 或 05h”移到 CLK 上升沿上的 DI 引腳中，然后是一個 8 位狀態(tài)寄存器地址。 然后狀態(tài)寄存器位在 CLK 下降沿的 DO 引腳上移出，首先是最有效位（MSB），如圖 7 所示。

讀取狀態(tài)寄存器指令可在任何時候使用，即使在程序或擦除周期正在進行時也是如此。 這允許檢查忙狀態(tài)位以確定周期何時完成以及設備是否可以接受另一條指令。 狀態(tài)寄存器可以連續(xù)讀取。

寫入狀態(tài)寄存器指令允許寫入狀態(tài)寄存器。 可寫狀態(tài)寄存器位包括：

狀態(tài)寄存器 1 中的 SRP[1:0]、TB、BP[3:0]和 WP-E 位； 狀態(tài)寄存器 2 中的 OTP-L、OTP-E、SR1-L、ECC-E 和BUF 位。

要寫入狀態(tài)寄存器位，輸入指令的方法是：驅(qū)動/CS low，發(fā)送指令代碼“1Fh 或 01h”，然后發(fā)送 8 位狀態(tài)寄存器地址，然后寫入狀 態(tài)寄存器數(shù)據(jù)字節(jié)，如圖 8 所示。 狀態(tài)寄存器說明見第 7.1-3 節(jié)。

通過驅(qū)動/CS low，將指令代碼“04h”移到 DI pin，然后驅(qū)動/CS high，輸入寫禁用指令。 請注意，WEL 位在通電后以及頁面程序、四頁程序、塊擦除、重置和壞塊管理指令完成后自動重置。

由于 NAND 內(nèi)存密度大，且受技術(shù)限制，在出廠測試中發(fā)現(xiàn)一定數(shù)量的“壞塊”時，NAND 內(nèi)存設備允許運往最終客戶。 裝運時，多達 2%的內(nèi)存塊可標記為“壞塊”，這是每個堆疊的 W25N01GV 模具最多 20 塊。 為了識別這些壞塊，建議掃描整個內(nèi)存陣列以查找出廠時設置的壞塊標記。

“壞塊標記”是存儲在每個壞塊的第 0 頁字節(jié) 0 處的非 FFh 數(shù)據(jù)字節(jié)。 另一個標記也存儲在 64 字節(jié)備用區(qū)域的第一個字節(jié)中。

W25M02GV 提供了一種方便的方法來管理 NAND 閃存中在大量使用后通常發(fā)現(xiàn)的壞塊。 “壞塊管理”命令是通過將指令代碼“A1h”移到 DI 管腳，然后是 16 位“邏輯塊地址”和16 位“物理塊地址”，如圖 11 所示。 在設備接受壞塊管理指令之前，必須執(zhí)行寫啟用指令（狀態(tài)寄存器位 WEL=1）。 邏輯塊地址是“壞”塊的地址，它將被物理塊地址指示的“好”塊替換。

成功執(zhí)行壞塊管理命令后，指定的 LBA-PBA 鏈接將添加到內(nèi)部查找表（LUT）。 在非易失性 LUT 中可以建立多達 20 個鏈路。

如果所有 20 條鏈路都已寫入，狀態(tài)寄存器中的 LUT-F 位將變?yōu)?1，并且不能再建立 LBA-PBA 鏈路。 因此，在發(fā)出壞塊管理命令之前，可以檢查 LUT-F 位值，或者可以發(fā)出“閱讀BBM 查找表”命令來確認 LUT 中是否仍然有備用鏈路

為了保證前 1000 個塊上的連續(xù)讀取操作，制造商可能使用了一些 BBM LUT 入場權(quán)。 建議用戶在第一次擦除/程序操作之前掃描所有塊并保存所有制造商壞塊的表。 禁止在多個 PBA 中注冊同一地址。它可能導致意外行為。

所有塊地址鏈路將從 LUT 中的第一個鏈路（LBA0 和 PBA0）開始按順序輸出。 如果有未使用的可用鏈接，輸出將包含所有“00h”數(shù)據(jù)。

每個鏈路的 MSB 位 LBA[15:14]用于指示鏈路的狀態(tài)。

當狀態(tài)/配置寄存器中的 ECC-E 位設置為 1（也是加電默認值）時，所有程序和讀取操作都啟用內(nèi)部 ECC 算法。 在特定頁面的“程序執(zhí)行”命令期間，ECC 算法將根據(jù) 2K 字節(jié)數(shù)據(jù)緩沖區(qū)內(nèi)的數(shù)據(jù)計算 ECC 信息，并將 ECC 數(shù)據(jù)寫入同一物理內(nèi)存 頁中額外的 64 字節(jié) ECC 區(qū)域。

對于“連續(xù)讀取模式（BUF=0）”操作，可以通過發(fā)出單個讀取命令連續(xù)讀取多頁主陣列數(shù)據(jù)。 在完成讀取操作后，應檢查 ECC 狀態(tài)位，以驗證讀取的數(shù)據(jù)中是否存在 ECC 校正或不可糾正的錯誤。

如果 ECC-1 和 ECC-0 等于（1，0）或（1，1），則以前讀取的數(shù)據(jù)包含一個或多個包含 ECC 不可糾正錯誤的頁。 可以通過發(fā)出“上次 ECC 失敗頁地址”命令獲得失敗頁面地址（如果是多個頁面，則為最后一個頁面地址），如圖 13 所示。 包含不可糾正 ECC 錯誤的 16 位頁地址將顯示在指令代碼“A9h”之后的 DO 引腳上，DI 引腳上的 8 位虛擬時鐘之后。

在設備接受塊擦除指令（狀態(tài)寄存器位 WEL 必須等于 1）之前，必須執(zhí)行寫啟用指令。 該指令通過驅(qū)動/CS 引腳低，并移動指令代碼“D8h”，然后是 8 位虛擬時鐘和 16 位頁地址來啟動。 塊擦除指令序列如圖 14 所示。

在鎖存最后一個字節(jié)的第八位之后，/CS 引腳必須被驅(qū)動到高位。 如果不這樣做，將不執(zhí)行塊擦除指令。

在/CS 被驅(qū)動為高電平后，自定時塊擦除指令將在 tBE 的持續(xù)時間內(nèi)開始（參見交流特性）。 當塊擦除周期正在進行時，仍可以訪問讀取狀態(tài)寄存器指令以檢查忙位的狀態(tài)。 在塊擦除周期中，忙位為 1，當周期結(jié)束且設備準備再次接受其他指令時，忙位變?yōu)?0。 塊擦除周期完成后，狀態(tài)寄存器中的寫入啟用閂鎖（WEL）位被清除為 0。 如果尋址塊受塊保護（TB、BP2、BP1 和 BP0）位保護，則不會執(zhí)行塊擦除指令。

這里雖然用的是頁地址，擦除擦除時還是按塊擦除，即 64 頁的數(shù)據(jù)都擦除。 這使得數(shù)據(jù)不好進行修改操作，這是這個 IC 的缺點。 另一個缺點就是存在壞塊，所以需要壞塊管理。

程序操作允許在先前擦除的（FFh）內(nèi)存位置對 1 字節(jié)到 2112 字節(jié)（一頁）的數(shù)據(jù)進行編程。 程序操作包括兩個步驟：

在設備接受加載程序數(shù)據(jù)指令（狀態(tài)寄存器位 WEL=1）之前，必須執(zhí)行寫啟用指令。 “加載程序數(shù)據(jù)”或“隨機加載程序數(shù)據(jù)”指令是通過驅(qū)動/CS 引腳低，然后將指令代碼“02h”或“84h”后接 16 位列地址（只有 CA[11:0]有效）和至少一個字節(jié)的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到 DI 管腳來啟動。

當數(shù)據(jù)被發(fā)送到設備時，/CS 引腳在整個指令長度內(nèi)必須保持在低位。 如果發(fā)送到設備的數(shù)據(jù)字節(jié)數(shù)超過數(shù)據(jù)緩沖區(qū)中的數(shù)據(jù)字節(jié)數(shù)，設備將忽略多余的數(shù)據(jù)。 加載程序數(shù)據(jù)指令序列如圖 15 所示。

“加載程序數(shù)據(jù)”和“隨機加載程序數(shù)據(jù)”指令共享相同的命令序列。 不同的是，“加載程序數(shù)據(jù)”指令會將數(shù)據(jù)緩沖區(qū)中未使用的數(shù)據(jù)字節(jié)重置為 FFh 值，而“隨機加載程序數(shù)據(jù)”指令只更新命令輸入 序列指定的數(shù)據(jù)字節(jié)，其余數(shù)據(jù)緩沖區(qū)將保持不變。

在程序數(shù)據(jù)加載到 2112 字節(jié)數(shù)據(jù)緩沖區(qū)（或在啟用 ECC 時為 2048 字節(jié)）后，程序執(zhí)行指令將數(shù)據(jù)緩沖區(qū)內(nèi)容編程到指令中指定的 物理內(nèi)存頁中。

在/CS 被驅(qū)動到高電平以完成指令周期后，自定時程序執(zhí)行指令將在 tpp 的持續(xù)時間內(nèi)開始（參見 AC 特性）。 當程序執(zhí)行周期正在進行時，讀取狀態(tài)寄存器指令仍可用于檢查忙位的狀態(tài)。

在程序執(zhí)行周期中，忙位為 1，當周期結(jié)束且設備準備再次接受其他指令時，忙位變?yōu)?0。 程序執(zhí)行周期結(jié)束后，狀態(tài)寄存器中的寫入啟用閂鎖（WEL）位被清除為 0。 如果尋址頁受塊保護（TB、BP2、BP1 和 BP0）位保護，則不會執(zhí)行程序執(zhí)行指令。 每一頁只允許 4 個部分頁面程序時間。

塊內(nèi)的頁必須按順序從低階頁地址編程到塊內(nèi)的高階頁地址。 禁止無序編程頁面。

在/CS 被驅(qū)動到高電平以完成指令周期后，自定時讀頁數(shù)據(jù)指令將在 tRD 的持續(xù)時間內(nèi)開始（見交流特性）。 當讀取頁數(shù)據(jù)循環(huán)正在進行時，讀取狀態(tài)寄存器指令仍可用于檢查忙位的狀態(tài)。 在讀頁數(shù)據(jù)循環(huán)期間，忙位為 1，當周期結(jié)束且設備準備再次接受其他指令時，忙位變?yōu)?0。

在 2112 字節(jié)的頁數(shù)據(jù)加載到數(shù)據(jù)緩沖區(qū)后，可以發(fā)出多個讀取指令來訪問數(shù)據(jù)緩沖區(qū)并讀出數(shù)據(jù)。 根據(jù)狀態(tài)寄存器中的 BUF 位設置，可以使用“緩沖區(qū)讀取模式”或“連續(xù)讀取模式”來完成讀取操作。

讀取數(shù)據(jù)指令通過驅(qū)動/CS 引腳低，然后將指令代碼“03h”，隨后是 16 位列地址和 8 位假時鐘或 24 位假時鐘移入 DI pin 來啟動。 在接收到地址后，地址數(shù)據(jù)緩沖區(qū)位置的數(shù)據(jù)字節(jié)將在 CLK 下降沿的 DO 引腳上移出，最有效位（MSB）優(yōu)先。 在數(shù)據(jù)的每個字節(jié)被移出后，地址會自動遞增到下一個更高的地址，以允許連續(xù)的數(shù)據(jù)流。

讀取數(shù)據(jù)指令序列如圖 19a 和 19b 所示。當 BUF=1 時，設備處于緩沖區(qū)讀取模式。 數(shù)據(jù)輸出序列將從 16 位列地址指定的數(shù)據(jù)緩沖區(qū)位置開始，一直到數(shù)據(jù)緩沖區(qū)的末尾。 一旦數(shù)據(jù)的最后一個字節(jié)被輸出，輸出引腳將變成 Hi-Z 狀態(tài)。

當 BUF=0 時，設備處于連續(xù)讀取模式，數(shù)據(jù)輸出序列將從數(shù)據(jù)緩沖區(qū)的第一個字節(jié)開始，并遞增到下一個更高的地址。 當?shù)竭_數(shù)據(jù)緩沖區(qū)的末尾時，下一個內(nèi)存頁的第一個字節(jié)的數(shù)據(jù)將跟隨并繼續(xù)貫穿整個內(nèi)存數(shù)組。 這允許使用單個讀取指令讀取整個內(nèi)存陣列，并且還兼容 Winbond 的 SpiFlash NOR flash memory 命令序列。

快速讀取指令通過驅(qū)動/CS 引腳低，然后將指令代碼“0Bh”以及 16 位列地址和 8 位假時鐘或 32 位假時鐘轉(zhuǎn)移到 DI 引腳來啟動。 在接收到地址后，地址數(shù)據(jù)緩沖區(qū)位置的數(shù)據(jù)字節(jié)將在 CLK 下降沿的 DO 引腳上移出，最有效位（MSB）優(yōu)先。 在數(shù)據(jù)的每個字節(jié)被移出后，地址會自動遞增到下一個更高的地址，以允許連續(xù)的數(shù)據(jù)流。

快速讀取指令序列如圖 20a 和 20b 所示。 當 BUF=1 時，設備處于緩沖區(qū)讀取模式。

數(shù)據(jù)輸出序列將從 16 位列地址指定的數(shù)據(jù)緩沖區(qū)位置開始，一直到數(shù)據(jù)緩沖區(qū)的末尾。 一旦數(shù)據(jù)的最后一個字節(jié)被輸出，輸出引腳將變成 Hi-Z 狀態(tài)。

當 BUF=0 時，設備處于連續(xù)讀取模式，數(shù)據(jù)輸出序列將從數(shù)據(jù)緩沖區(qū)的第一個字節(jié)開始，并遞增到下一個更高的地址。 當?shù)竭_數(shù)據(jù)緩沖區(qū)的末尾時，下一個內(nèi)存頁的第一個字節(jié)的數(shù)據(jù)將跟隨并繼續(xù)貫穿整個內(nèi)存數(shù)組。 這允許使用單個讀取指令讀取整個內(nèi)存陣列，并且還兼容 Winbond 的 SpiFlash NOR flash memory 命令序列。

在接收到地址后，地址數(shù)據(jù)緩沖區(qū)位置的數(shù)據(jù)字節(jié)將在 CLK 下降沿的 DO 引腳上移出，最有效位（MSB）優(yōu)先。 在數(shù)據(jù)的每個字節(jié)被移出后，地址會自動遞增到下一個更高的地址，以允許連續(xù)的數(shù)據(jù)流。

快速讀取指令序列如圖 21a 和 21b 所示。當 BUF=1 時，設備處于緩沖區(qū)讀取模式。 數(shù)據(jù)輸出序列將從 16 位列地址指定的數(shù)據(jù)緩沖區(qū)位置開始，一直到數(shù)據(jù)緩沖區(qū)的末尾。 一旦數(shù)據(jù)的最后一個字節(jié)被輸出，輸出引腳將變成 Hi-Z 狀態(tài)。

當 BUF=0 時，設備處于連續(xù)讀取模式，數(shù)據(jù)輸出序列將從數(shù)據(jù)緩沖區(qū)的第一個字節(jié)開始，并遞增到下一個更高的地址。 當?shù)竭_數(shù)據(jù)緩沖區(qū)的末尾時，下一個內(nèi)存頁的第一個字節(jié)的數(shù)據(jù)將跟隨并繼續(xù)貫穿整個內(nèi)存數(shù)組。 這允許使用單個讀取指令讀取整個內(nèi)存陣列，并且還兼容 Winbond 的 SpiFlash NOR flash memory 命令序列。

然后，可以在唯一 ID 和參數(shù)頁上執(zhí)行讀取操作，如果 OTP 頁尚未鎖定，則可以在 OTP 頁上執(zhí)行讀取和程序操作。 要返回到主存儲器陣列操作，OTP-E 位需要設置為 0。

讀取操作必須發(fā)出“頁面數(shù)據(jù)讀取”命令，后跟上表中所示的特定頁面地址，才能將頁面數(shù)據(jù)加載到主數(shù)據(jù)緩沖區(qū)中。 在設備完成數(shù)據(jù)加載（BUSY=0）之后，所有的 Read 命令都可以用來從任何指定的列地址開始讀取數(shù)據(jù)緩沖區(qū)。 請注意，無論之前的 BUF 位設置如何，所有讀命令現(xiàn)在都必須遵循“緩沖區(qū)讀取模式”命令結(jié)構(gòu)（CA[15:0]，虛擬時鐘的數(shù)量）。 還可以為 OTP 頁讀取操作啟用 ECC，以確保數(shù)據(jù)的完整性。

OTP 頁提供額外的空間（2K 字節(jié) x10）來存儲重要的數(shù)據(jù)或安全信息， 這些數(shù)據(jù)或安全信息可以被鎖定以防止在字段中進行進一步修改。

這些 OTP 頁面處于出廠設置的擦除狀態(tài)，并且只能編程（將數(shù)據(jù)從“1”更改為“0”），直到被配置/狀態(tài)寄存器 2 中的 OTP-L 位鎖定。 必須首先將 OTP-E 設置為“1”以允許訪問這些OTP 頁，然后必須使用任何“程序數(shù)據(jù)加載”命令將程序數(shù)據(jù)加載到主數(shù)據(jù)緩沖區(qū)。 “程序執(zhí)行”命令后跟特定的 OTP 頁地址，用于啟動從數(shù)據(jù)緩沖區(qū)到 OTP 頁的數(shù)據(jù)傳輸。

當仍處于“OTP 訪問模式”（OTP-E=1）時，用戶需要將配置/狀態(tài)寄存器 2 中的 OTP-L 位設置為“1”，并發(fā)出“程序執(zhí)行”命令（頁 面地址為“無所謂”）。

保護/狀態(tài)寄存器-1 包含保護位，可設置為保護部分或整個內(nèi)存陣列不被編程/擦除，或?qū)⒃O備設置為軟件寫入保護（WP-E=0）或硬 件寫入保護（WP-E=1）。

參數(shù)頁包含 3 個 256 字節(jié)參數(shù)數(shù)據(jù)的相同副本。 下表列出了所有關(guān)鍵數(shù)據(jù)字節(jié)的位置。 所有其他未指定的字節(jié)位置都默認有 00h 數(shù)據(jù)。