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薄晶片有四種主要方法

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ID:864797 發(fā)表于 2021-1-8 10:20 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
薄晶片有四種主要方法，（1）機械研磨，（2）化學(xué)機械平面化，（3）濕法蝕刻和（4）大氣下游等離子體干法化學(xué)蝕刻（ADP DCE）。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學(xué)漿液結(jié)合起來與晶片反應(yīng)并使之變薄，而蝕刻則使用化學(xué)物質(zhì)來使基板變薄。

晶圓減薄YES（1月8）.docx

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薄晶片有四種主要方法，（1）機械研磨，（2）化學(xué)機械平面化，（3）濕法蝕刻和（4）大氣下游等離子體干法化 ...
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