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靈動(dòng)MM32F0010A1T使用高性能的ARM Cortex-M0為內(nèi)核的32位MCU,工作頻率可高達(dá)48兆赫茲,內(nèi)置SRAM高速存儲(chǔ)器,豐富的增強(qiáng)型I/O端口和外設(shè)連接到外部總線。MM32F0010A1T包含1個(gè)12位的ADC、1個(gè)16位通用定時(shí)器、1個(gè)16位基本定時(shí)器、1個(gè)16位高級(jí)定時(shí)器。還包含標(biāo)準(zhǔn)的通信接口:1個(gè)I2C接口、1個(gè)SPI接口和2個(gè)UART接口。
MM32F0010A1T工作電壓為2.0V~5.5V,工作溫度范圍(環(huán)境溫度)-40◦C~85◦C常規(guī)型和-40◦C~105◦C擴(kuò)展型(V)。多種省電工作模式保證低功耗應(yīng)用的要求。提供TSSOP20封裝形式。靈動(dòng)微MM32F0010A1T可兼容替換意法半導(dǎo)體STM8S003F3P6.英尚微電子可提供開發(fā)板測(cè)試和例程支持.
MM32F0010A1T封裝引腳
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2021-1-11 15:21 上傳
MM32F0010A1T特點(diǎn)
性價(jià)比首選·8位替代的最佳方案
20PIN小封裝·簡(jiǎn)單大方
高速M(fèi)0核心·開發(fā)更有效率
高精密度ADC·多達(dá)8通道
6組PWM輸出·具有死區(qū)功能
豐富的串口新選擇
閃存主要特性
•高達(dá)16K字節(jié)閃存存儲(chǔ)器
•存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu):
–主閃存模塊:最大4K字(4K×32位)
–信息模塊:
*系統(tǒng)存儲(chǔ)器:高達(dá)1K字節(jié)(1K×8位)
*選項(xiàng)字節(jié):高達(dá)2×8字節(jié)
閃存接口的特性為:
•帶預(yù)取緩沖器的數(shù)據(jù)接口(2×32位)
•選擇字節(jié)加載器
•閃存編程/擦除操作
•訪問(wèn)/寫保護(hù)
•低功耗模式
內(nèi)置的SRAM
內(nèi)置最大可到2K字節(jié)的靜態(tài)SRAM。它可以以字節(jié)(8位)、半字(16位)或字(32位)進(jìn)行訪問(wèn)。SRAM起始地址為0x20000000。
•數(shù)據(jù)總線上最大可到2K字節(jié)的SRAM?梢员籆PU用最快的系統(tǒng)時(shí)鐘且不插入任何等待進(jìn)行訪問(wèn)。
MM32F0010A1T
規(guī)格書下載:http://www.torrancerestoration.com/bbs/dpj-197850-1.html
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