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等離子體光刻膠去除的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了液體槽和對化學(xué)品的操作

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ID:864797 發(fā)表于 2021-1-14 10:32 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
同刻蝕一樣,干法等離子體工藝也可用于光刻膠去除。將晶圓放置于反應(yīng)室中.并通入氧氣。等離子體場把氧氣激發(fā)到高能狀態(tài),因而將光刻跤成分氧化為氣體由真空泵從反應(yīng)室吸走。術(shù)語灰化(ashlng〕用來說明那些設(shè)計(jì)成用來只去除有機(jī)殘留物的等離子體工藝。等離子去除需要去除有機(jī)和無機(jī)兩種殘留物的工藝。在干法去除機(jī)中,等離子體由微波,射頻和UV臭氧源共同作用產(chǎn)生。

半導(dǎo)體系列之十步圖形化工藝流程(1月14).docx

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