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樓主位的電路主干的結(jié)構(gòu)是完全沒問題的，全都正確。
Q5的DS反偏也是可以導(dǎo)通的，只要G高于S一定電壓即可。內(nèi)部寄生二極管有兩大嚴(yán)重問題，一是導(dǎo)通電壓過高影響效率，二是存儲效應(yīng)導(dǎo)致從導(dǎo)通到截止的恢復(fù)時間過長。寄生二極管可以在Q5導(dǎo)通前臨時當(dāng)續(xù)流二極管來用，Q5導(dǎo)通后寄生二極管兩端電壓低于飽和電壓，恢復(fù)到截止?fàn)顟B(tài)，這樣Q5斷開時寄生二極管已經(jīng)截止，不存在存儲效應(yīng)造成的短時間短路。
同步整流技術(shù)就是因?yàn)楝F(xiàn)在芯片工藝越來越小，電源電壓越來越低，整流/續(xù)流二極管的壓降成為影響效率越來越刺眼的因素，用MOSFET替代二極管，利用導(dǎo)通電阻小的特長來提高效率。
樓主的電路也可能有問題，主要是兩個管子翻轉(zhuǎn)的瞬間會不會有什么問題。但是這些我的能力已經(jīng)分析不出來了，只能讓樓主自己建立真實(shí)的電路來實(shí)際測量才會知道。 |
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