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STC15F2K60S2的EEPROM使用心得

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ID:886887 發(fā)表于 2021-3-16 14:52 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
本帖最后由 Yuhun_Shen 于 2021-3-16 15:59 編輯

       最近用到了STC15F2K60S2的EEPROM,用來存儲(chǔ)一些需要掉電保存的數(shù)據(jù)?戳艘幌鹿俜降氖謨院屠,例程提供了寫1個(gè)字節(jié)函數(shù)void IapProgramByte(WORD addr, BYTE dat),讀1個(gè)字節(jié)函數(shù)BYTE IapReadByte(WORD addr),擦除扇區(qū)函數(shù)void IapEraseSector(WORD addr),例程中是按扇區(qū)來操作的,1個(gè)扇區(qū)=256個(gè)字節(jié),EEPROM的存儲(chǔ)空間只有1K,若按扇區(qū)操作只能存儲(chǔ)2個(gè)數(shù)據(jù),所以我采用按地址操作。讀完例程發(fā)現(xiàn)只需要用到兩個(gè)函數(shù):寫一個(gè)字節(jié)函數(shù)和讀一個(gè)字節(jié)函數(shù),然后我就開始寫函數(shù)測試了。然后......發(fā)現(xiàn)讀取的值和寫入的值不一樣,經(jīng)過多次測試發(fā)現(xiàn)每個(gè)地址第一次寫入額值能成功讀取出來,之后寫入的值就不行了。繼續(xù)翻手冊讀例程,發(fā)現(xiàn)在每次寫入數(shù)據(jù)之前需要先擦除數(shù)據(jù),那就先擦除再寫入。然后新的問題又來了,我是按地址操作的,官方提供的擦除函數(shù)是按扇區(qū)操作的,一擦256個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)全沒了.......
      對(duì)此我想了三個(gè)方法:
      1.在電路板上增加掉電檢測電路,電源關(guān)閉時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)保存。但我的電路板已經(jīng)做好了沒法改了;
      2.實(shí)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),這個(gè)方法消耗單片機(jī)性能,而且EEPROM擦寫次數(shù)是有限的,不建議用;
      3.數(shù)據(jù)有變化進(jìn)行存儲(chǔ),不變化不存儲(chǔ)。
綜合來看方法3是最合適的,于是乎我又改了一下程序,單片機(jī)上電后讀出EEPROM里的所有數(shù)據(jù),當(dāng)有數(shù)據(jù)變化后就把所有數(shù)據(jù)寫入EEPROM。經(jīng)過測試這個(gè)方法非常好




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ID:390416 發(fā)表于 2021-3-16 16:38 | 顯示全部樓層
EEPROM  先讀出來N字節(jié)   緩存 ,然后擦除整個(gè)扇區(qū)512字節(jié)    然后再重新寫進(jìn)去N字節(jié)
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ID:213173 發(fā)表于 2021-3-16 17:26 | 顯示全部樓層
一個(gè)扇區(qū)512個(gè)字節(jié)不是256個(gè)字節(jié)。按地址修改某一個(gè)數(shù)據(jù)前要先把這個(gè)扇區(qū)的有效數(shù)據(jù)讀出另存,改好另存的數(shù)據(jù)再刪除整個(gè)扇區(qū),把另存的數(shù)據(jù)存回去。
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ID:886887 發(fā)表于 2021-3-17 11:33 | 顯示全部樓層
wulin 發(fā)表于 2021-3-16 17:26
一個(gè)扇區(qū)512個(gè)字節(jié)不是256個(gè)字節(jié)。按地址修改某一個(gè)數(shù)據(jù)前要先把這個(gè)扇區(qū)的有效數(shù)據(jù)讀出另存,改好另存的數(shù) ...

失誤,寫成256了
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