NPN型場效應(yīng)管想要電流反向流時(shí)對門極電壓有什么要求

ID:846258 · 發(fā)表于 2021-4-21 09:50

圖（1）的NPN型場效應(yīng)管作為源極跟隨器，此時(shí)門極電壓值為VG�，F(xiàn)在想轉(zhuǎn)換為圖（2)的狀態(tài)，即讓D極接地，想讓此NPN場效應(yīng)管電流反向流（即從S極流向D極），請問這個(gè)時(shí)候門極電壓應(yīng)該怎樣配置？是給0V還是可以維持VG呢？給0V和維持VG電流i會不同嗎？

ID:213173 · 發(fā)表于 2021-4-21 14:30

NMOS管的DS導(dǎo)通條件是VGS正向偏壓大于閾值電壓。VDS反向偏壓大于0.7V時(shí)，內(nèi)部寄生二極管即導(dǎo)通，與VG正反向偏壓沒有多大關(guān)系。

ID:909561 · 發(fā)表于 2021-4-21 14:54

不是很明白樓主的意思，N型MOS管，DS反向二極管不受G極控制，只能能滿足二極管導(dǎo)通條件即可，只是50mv肯定不夠。

ID:846258 · 發(fā)表于 2021-4-21 15:14

wulin 發(fā)表于 2021-4-21 14:30
NMOS管的DS導(dǎo)通條件是VGS正向偏壓大于閾值電壓。VDS反向偏壓大于0.7V時(shí)，內(nèi)部寄生二極管即導(dǎo)通，與VG正反向 ...

我就是想讓內(nèi)部寄生二極管導(dǎo)通。“VDS反向偏壓要大于0.7V”那是說D端接地還不行？D端還得給一個(gè)-650mV以上的電壓？這個(gè)時(shí)候VG不用電壓不用變化寄生二極管也能導(dǎo)通是吧？

ID:846258 · 發(fā)表于 2021-4-21 15:17

fasoo 發(fā)表于 2021-4-21 14:54
不是很明白樓主的意思，N型MOS管，DS反向二極管不受G極控制，只能能滿足二極管導(dǎo)通條件即可，只是50mv肯定 ...

是像樓上說的那樣要滿足VSD大于0.7V嗎？把50mV改成大于0.7V或者把D端電壓設(shè)置成大于-650mV這兩個(gè)方案都可以嗎？

ID:879348 · 發(fā)表于 2021-4-21 15:24

反向電流不受控制的，你漏畫了他的內(nèi)部二極管

ID:846258 · 發(fā)表于 2021-4-21 15:29

wufa1986 發(fā)表于 2021-4-21 15:24
反向電流不受控制的，你漏畫了他的內(nèi)部二極管

我就是想從圖1的電流D到S方向轉(zhuǎn)化成圖2的S到D方向（通過內(nèi)部寄生二極管走電流）�，F(xiàn)在不知道想要轉(zhuǎn)換時(shí)對三個(gè)端子的電壓要求是什么。您說的反向電流不受控制是什么意思呢？是說它不受Vgs控制嗎？那受Vsd控制嗎？

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