如何給數(shù)字直流電源添加過流保護(hù)電路（具體要求在圖片中）

ID:883451 · 發(fā)表于 2021-5-1 15:58

電源小白求救

ID:435676 · 發(fā)表于 2021-5-1 15:58

使用電流檢測(cè)模塊！接在輸出端！在家和可以端電的繼電器或者mos管的啥！當(dāng)檢測(cè)到電流大于1A立馬切斷電源！并延時(shí)閉合！然后加屏幕顯示電流等信息！

ID:883451 · 發(fā)表于 2021-5-3 14:35

ID:642838 · 發(fā)表于 2021-5-3 16:22

在電源輸出級(jí)串聯(lián)檢流電阻，檢測(cè)電阻兩端電壓值，通過單片機(jī)控制電流大小

ID:347013 · 發(fā)表于 2021-5-3 19:20

只能在輸出串聯(lián)1個(gè)采樣電阻，如1歐電阻電流超過1A壓降大于1ｖ，將此信號(hào)輸入stm32的adc進(jìn)行電壓檢測(cè)大于1v即停止給開關(guān)管激勵(lì)信號(hào)

ID:889094 · 發(fā)表于 2021-5-3 23:40

小白借寶地問一下，怎么輸入12v中間一變就24v了？是那個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管的作用？

ID:155507 · 發(fā)表于 2021-5-4 08:29

類似參考

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ID:155507 · 發(fā)表于 2021-5-4 08:46

birdzhyli 發(fā)表于 2021-5-3 23:40
小白借寶地問一下，怎么輸入12v中間一變就24v了？是那個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管的作用？

升壓轉(zhuǎn)換器操作

圖3.2.2升壓轉(zhuǎn)換器在開啟時(shí)的操作
圖3.2.2說明了在啟動(dòng)時(shí)施加在MOSFET柵極上的高頻方波的初始高電平期間的電路動(dòng)作。在此期間，MOSFET導(dǎo)通，從而使L1的右側(cè)到負(fù)輸入電源端子之間發(fā)生短路。因此，電流通過L1在正電源端子和負(fù)電源端子之間流動(dòng)，電流在其磁場(chǎng)中存儲(chǔ)能量。電路的其余部分實(shí)際上沒有電流流過，因?yàn)镈1，C1和負(fù)載的組合所代表的阻抗要比直接通過高導(dǎo)通MOSFET的路徑高得多。

圖3.2.3 MOSFET關(guān)閉時(shí)的電流路徑
圖3.2.3顯示了方波開關(guān)周期的低電平期間的電流路徑。當(dāng)MOSFET快速關(guān)閉時(shí)，電流突然下降導(dǎo)致L1產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)。與導(dǎo)通期間L1兩端的電壓極性相反，以保持電流流動(dòng)。這樣就產(chǎn)生了兩個(gè)電壓，即電源電壓VIN和L1兩端的反電動(dòng)勢(shì)（VL）彼此串聯(lián)。

由于沒有電流通過MOSFET，因此較高的電壓（VIN + VL）正向偏置D1。通過D1的電流將C1充電至VIN + VL減去D1兩端的小正向壓降，并且還為負(fù)載供電。

圖3.2.4 MOSFET導(dǎo)通時(shí)的電流路徑
圖3.2.4顯示了MOSFET在初始啟動(dòng)后導(dǎo)通期間的電路動(dòng)作。每次MOSFET導(dǎo)通時(shí)，由于C1上的電荷，D1的陰極比其陽極更正極。因此，D1被關(guān)斷，因此電路的輸出與輸入隔離，但是仍通過C1上的電荷為負(fù)載提供VIN + VL。盡管在此期間電荷C1通過負(fù)載流失，但每次MOSFET關(guān)斷時(shí)C1都會(huì)充電，因此可以在負(fù)載兩端保持幾乎穩(wěn)定的輸出電壓。

理論直流輸出電壓由輸入電壓（VIN）除以1減去開關(guān)波形的占空比（D）來確定，該值將是介于0和1之間的某個(gè)數(shù)字（對(duì)應(yīng)于0至100％），因此可以使用以下公式確定：

如果開關(guān)方波的周期為10μs，輸入電壓為12V，而ON為周期時(shí)間的一半，即5μs，則輸出電壓將為：

VOUT = 12 /（1- 0.5）= 12 / 0.5 = 24V（減去輸出二極管壓降）

由于輸出電壓取決于占空比，因此必須對(duì)其進(jìn)行精確控制很重要。例如，如果占空比從0.5增加到0.99，則產(chǎn)生的輸出電壓將是：

VOUT = 12 /（1- 0.99）= 12 / 0.01 = 1200V

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如何給數(shù)字直流電源添加過流保護(hù)電路（具體要求在圖片中）

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