STM32F1的flash數(shù)據(jù)存儲問題

ID:685842 · 發(fā)表于 2021-5-12 13:59

在有些教程中STM32的flash可以作為EEPORM，但flash有幾個存儲區(qū)域，一般是采用主存儲塊進行存儲嗎
如果是采用主存儲塊作為EEPORM，是否所有主存儲快空間都可以作為EEPROM
在一些資料中，描述主存儲器存儲著一些代碼和數(shù)據(jù)常量，如果作為EEPROM不會出現(xiàn)將原本擦除的情況嗎。。。。。
先感謝各位大佬的回答

ID:827243 · 發(fā)表于 2021-5-12 13:59

從后往前用，除非你的程序很大，否則不會沖突的。

#define FLASHSTART_ADDR 0x08000000 //128K ��һҳ 1KBÿҳ �ɴ�512��16λ�� С��512K��Ʒ
#define FLASH_BLOCK_USE 1 //ʹ�õ��1��block
#define STM32_FLASH_SIZE 512 //128K Flash

#if STM32_FLASH_SIZE<256
#define STM_SECTOR_SIZE 1024
#else
#define STM_SECTOR_SIZE 2048
#endif

#define USER_ADDR (FLASHSTART_ADDR+STM32_FLASH_SIZE*1024-FLASH_BLOCK_USE*STM_SECTOR_SIZE)

USER_ADDR 就是倒數(shù)可用的地址

ID:920138 · 發(fā)表于 2021-5-12 17:02

你自己規(guī)化啊，我都是把高地址的做為參數(shù)存儲區(qū)。

ID:685842 · 發(fā)表于 2021-5-13 16:48

daemondong 發(fā)表于 2021-5-13 12:51
從后往前用，除非你的程序很大，否則不會沖突的。

#define FLASHSTART_ADDR 0x08000000 //128K &#65 ...

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