請教一下RMS to DC芯片AD736的外圍電路問題

ID:686782 · 發(fā)表于 2021-7-11 17:59

本帖最后由 OHHO 于 2021-7-11 18:04 編輯

最近在做一個電容檢測的項目，想法是用運放的輸入輸出關(guān)系來估計電容值，不同幅值的正弦波對應(yīng)不同的待測電容值，然后就用到了AD736這芯片。一開始我是按照手冊里說的低阻抗交流耦合電路來搭，如圖1所示，2腳vin輸入接地，1腳輸入，但是各種仿真測試都得不到正確的結(jié)果；然后改成手冊里面test circuit的方案，2腳vin輸入進去，1腳做耦合，我也先做了仿真進行測試，如圖2電路（為了單獨測試已將vin與前級輸出斷開），在proteus里面測試，可以得到真有效值，但是一樣的激勵和電路在Multisim里面就不能得到正確的結(jié)果。這是不是因為Multisim的AD736模型有點問題？還是我的應(yīng)用電路方案有問題，希望有接觸過的大佬能解答。

ID:123289 · 發(fā)表于 2021-7-12 09:31

不急！
首先測量方案在理論上要說得通。
例如：【用運放的輸入輸出關(guān)系來估計電容值，不同幅值的正弦波對應(yīng)不同的待測電容值】
它的理論依據(jù)是什么？能給出一個公式嗎？

ID:686782 · 發(fā)表于 2021-7-12 18:44

本帖最后由 OHHO 于 2021-7-12 18:46 編輯

yzwzfyz 發(fā)表于 2021-7-12 09:31
不急！
首先測量方案在理論上要說得通。
例如：【用運放的輸入輸出關(guān)系來估計電容值，不同幅值的正弦波對 ...

考慮理想情況下分析時，只接入電容C1與待測電容Cx，根據(jù)運放的負反饋虛短得到輸出電壓Uo=-C1/Cx*Ui，相當(dāng)于把基本的反相比例放大電路里面的電阻改成阻抗來看，但是純這樣有個問題電容沒有放電回路，因此Cx不斷充電輸出很快達到飽和，運放進入非線性區(qū)，實際起不到效果，所以就在反饋電容上并聯(lián)一個大阻抗電阻來提供回路。由于并聯(lián)，Cx的阻抗遠小于1MΩ，反饋回路仍由Cx主導(dǎo)。同時同相端匹配電阻來控制失調(diào)電壓輸出的直流偏置，您看看這樣是否有道理？這部分我仿真的結(jié)果倒是和預(yù)計相差不多。

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