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7N65-ASEMI高壓MOS管7N65

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7N65-ASEMI高壓MOS管7N65
型號:7N65
品牌:ASEMI
封裝:TO-22AB
最大漏源電流:7A
漏源擊穿電壓:650V
RDS(ON)Max:1.35Ω
引腳數(shù)量:3
芯片個(gè)數(shù):
溝道類型:N溝道MOS管
漏電流:ua
特性:N溝道MOS管、場效應(yīng)管
工作溫度:-55℃~150℃
備受歡迎的7N65 MOS管
  ASEMI品牌7N65是采用工藝芯片,該芯片具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力,能夠持續(xù)保證了7N65的最大漏源電流7A,漏源擊穿電壓650V.
•細(xì)節(jié)體現(xiàn)差距
7N65,ASEMI品牌,工藝芯片,工藝制造,該產(chǎn)品穩(wěn)定性高,抗沖擊能力強(qiáng)。
7N65具體參數(shù)為:最大漏源電流:7A,漏源擊穿電壓:650V,反向恢復(fù)時(shí)間: ns,封裝:TO-220AB

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