MOS管上電有瞬間導通現(xiàn)象?

ID:244363 · 發(fā)表于 2022-7-26 12:00

電路原理如下：

1.上電初始狀態(tài)：

電路上電后，輸入電源Vin經電阻R1，R3對電容C1快速充電至電源電壓。MOS管Q1，Q2截止，Vout無輸出。

2.開機狀態(tài)：
當電路需要開機時，按下開關S1，電容C1上的電壓加至NMOS管的G極，使Q2迅速飽和導通，Q1柵極電位被拉低至接近0V，Q1也迅速導通并飽和，Vout有電壓輸出。

此時，Vout經電阻R2，加至NMOS管Q2的柵極，維持Q2的導通，形成自鎖回路。此時若S1沒有松開，則Vout還會對電容C1充電，不會影響電路的開機狀態(tài)。

若S1松開，則電容C1通過電阻R3，Q2的DS進行放電至接近0V，為電路關機做準備。

3.關機狀態(tài)：
電路需要關機時，再次按下開關S1，NMOS管Q2的柵極電位由于電容C1的作用，被拉低至低電平，Q2截止。

Q2截止后，PMOS管的柵極電位上升到高電平，Q1截止，Vout無輸出。此時，應松開開關S1，電容C1又經電阻R1，R3開始慢慢充電至接近輸入電源電壓�；謴椭辽想姵跏紶顟B(tài)。

但是現(xiàn)在的現(xiàn)象是，上電就導通，VOUT持續(xù)有電壓，我把Q2 R3都拆掉，觀察Q1，發(fā)現(xiàn)上電后，VOUT電源指示燈會亮一瞬間，然后熄滅，這說明Q1導通了一瞬間，然后才導致了后面的現(xiàn)象

我后面找了一些資料，懷疑是GS之間的寄生電容在上電初始，需要充電，在這個過程中，VGS的電壓<0 所以導致了瞬間的導通現(xiàn)象，這樣懷疑對的么？

如果是這樣的話，怎么避免這個寄生電容的影響啊

ID:401564 · 發(fā)表于 2022-7-26 17:57

你那么多字分析并沒有什么道理
事實也并不是像你分析的那樣
1,一開始上電的時候,C1是沒有電的,對地相當于短路,那么Q1的G極電壓就是Vin的一半,Q1并沒有截止,Vout是有電壓輸出的,輸出電壓多少你不用管,有輸出就行
2,Q1輸出控制了Q2的G極,Q2就導通了,然后就把Q1的G極電壓拉低,然后就是Q1完全導通了
所以,你這電路,一上電就有電壓輸出,然而這期間壓根就沒有寄生電容的事
把R1改成1K試一下

ID:213173 · 發(fā)表于 2022-7-26 21:02

上電瞬間，Q1 VGS(th)電壓必須小于1V，否則Q1會被觸發(fā)導通。你現(xiàn)在上電瞬間 VGS(th)電壓是1/2Vin。

ID:799053 · 發(fā)表于 2022-7-27 16:36

一句話R1電阻太大了

ID:123289 · 發(fā)表于 2022-7-28 09:29

2樓，高手。
樓主的考慮方式也贊同，但在此處不適用。
2樓正解。

ID:879348 · 發(fā)表于 2022-7-28 13:42

減小電阻

ID:1040698 · 發(fā)表于 2022-7-28 16:20

同意2樓。

ID:1038657 · 發(fā)表于 2022-7-29 11:55

這電路能關掉？

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