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請(qǐng)教一個(gè)有關(guān)驅(qū)動(dòng)電機(jī)正反轉(zhuǎn)電路的問(wèn)題

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ID:531419 發(fā)表于 2022-8-15 14:06 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
50黑幣
請(qǐng)教一個(gè)有關(guān)驅(qū)動(dòng)電機(jī)正反轉(zhuǎn)電路的問(wèn)題。
先上圖。

電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路


FDS8958B芯片引腳圖


FDS8958B的GS(th)的參數(shù)


FDS8958B的其他參數(shù)


電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,應(yīng)當(dāng)有兩個(gè)一摸一樣的,接電機(jī)的另一端,這里只放了一個(gè)。

問(wèn)題描述:

首先A1,A2接的是32的IO口。


FDS8958B自帶了一個(gè)PMOS管和NMOS管。想通過(guò)它配合三極管來(lái)實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電機(jī)正反轉(zhuǎn)的電路。


FDS8958B芯片引腳圖的
Q1那個(gè)MOS管我能理解。當(dāng)G1給高電平時(shí)MOS管導(dǎo)通,相當(dāng)于這個(gè)MOS管接的電機(jī)的引腳直接接地了。(可能理解有誤,歡迎大佬指點(diǎn)。)


FDS8958B芯片引腳圖的
Q2這個(gè)MOS管這里就不太理解了,它的GS(th)是-1~-3。也就是說(shuō)柵極電壓要比源極低1到3v才能導(dǎo)通?

那我這個(gè)電路電路圖中

當(dāng)A2給低電平時(shí),三極管Q5截止。GS(th)=0V?

當(dāng)A2給高點(diǎn)平時(shí),三極管Q5導(dǎo)通,GS(th)=-5V?  但是因?yàn)镚S(th)的最大電壓是-3V,所以會(huì)燒芯片嗎。


或者是我對(duì)GS(th)的理解有問(wèn)題(或者其它基礎(chǔ)概念理解有問(wèn)題),導(dǎo)致了我上面的推論有問(wèn)題。

求大佬指點(diǎn)我上述的推論和概念是否有問(wèn)題。

感謝!

其他參數(shù).png
電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路.png
MOS管引腳圖.png
GS(th).png

最佳答案

查看完整內(nèi)容

Q1那個(gè)MOS管我能理解。當(dāng)G1給高電平時(shí)MOS管導(dǎo)通,相當(dāng)于這個(gè)MOS管接的電機(jī)的引腳直接接地了 答:準(zhǔn)確地說(shuō),是MOS管的柵極對(duì)源極電壓。高電平通,不是很精確的說(shuō)法。 Q2這個(gè)MOS管這里就不太理解了,它的GS(th)是-1~-3。也就是說(shuō)柵極電壓要比源極低1到3v才能導(dǎo)通? 答:同上!準(zhǔn)確地說(shuō),是MOS管的柵極對(duì)源極電壓為負(fù),即源極電壓低于柵極電壓。 那我這個(gè)電路電路圖中,當(dāng)A2給低電平時(shí),三極管Q5截止。GS(th)=0V? 答:此時(shí)R13 ...
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ID:123289 發(fā)表于 2022-8-15 14:06 | 顯示全部樓層
Q1那個(gè)MOS管我能理解。當(dāng)G1給高電平時(shí)MOS管導(dǎo)通,相當(dāng)于這個(gè)MOS管接的電機(jī)的引腳直接接地了
答:準(zhǔn)確地說(shuō),是MOS管的柵極對(duì)源極電壓。高電平通,不是很精確的說(shuō)法。
Q2這個(gè)MOS管這里就不太理解了,它的GS(th)是-1~-3。也就是說(shuō)柵極電壓要比源極低1到3v才能導(dǎo)通?
答:同上!準(zhǔn)確地說(shuō),是MOS管的柵極對(duì)源極電壓為負(fù),即源極電壓低于柵極電壓。
那我這個(gè)電路電路圖中,當(dāng)A2給低電平時(shí),三極管Q5截止。GS(th)=0V?
答:此時(shí)R13中無(wú)有電流,即R13上無(wú)壓降,你的分析是對(duì)的。
當(dāng)A2給高點(diǎn)平時(shí),三極管Q5導(dǎo)通,GS(th)=-5V?  但是因?yàn)镚S(th)的最大電壓是-3V,所以會(huì)燒芯片嗎。
答:燒毀一個(gè)東東,需要足夠的能量,這里不具備。更何況還有R14限流,-50V也燒不了。你可以試試。
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ID:891041 發(fā)表于 2022-8-15 20:36 | 顯示全部樓層
你理解沒(méi)問(wèn)題。 5V不會(huì)燒 -3V只是可靠開(kāi)通的最大電壓。 不是極限參數(shù) 擊穿電壓在開(kāi)頭寫著。應(yīng)該是-25V.
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ID:688692 發(fā)表于 2022-8-16 14:41 | 顯示全部樓層
AT8236,A4950這些芯片不香嗎,不用自己搭H橋啦
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ID:1042264 發(fā)表于 2022-8-16 22:56 | 顯示全部樓層
沒(méi)你想的那么復(fù)雜。

基本的邏輯是:A1高電平時(shí),A2必須同時(shí)低電平,通過(guò)Q5反相,輸出給G2引腳也是高電平。

必須保證Q1與Q2只能同時(shí)打開(kāi)一個(gè),不可以2個(gè)同時(shí)導(dǎo)通,否則相當(dāng)于直接短路。
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ID:1034948 發(fā)表于 2022-8-17 10:27 | 顯示全部樓層
這個(gè)是很常用的H橋電路,從MUC輸出信號(hào)正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)不能同時(shí)高電平,同時(shí)高電平其中MOS管一定會(huì)燒一個(gè)。A1端在R12后面加一下47K電阻到地,這個(gè)電路就沒(méi)有問(wèn)題了。
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ID:531419 發(fā)表于 2022-8-17 13:02 | 顯示全部樓層
yzwzfyz 發(fā)表于 2022-8-17 10:07
Q1那個(gè)MOS管我能理解。當(dāng)G1給高電平時(shí)MOS管導(dǎo)通,相當(dāng)于這個(gè)MOS管接的電機(jī)的引腳直接接地了
答:準(zhǔn)確地說(shuō) ...

感謝您的指點(diǎn),還有一個(gè)問(wèn)題。那么是不是 Q2 的 GS 的壓差只要比 GS(th)的 -1 ~ -3 高就可以導(dǎo)通? 比如GS是 -5V 或者 -10V  Q2都是處于導(dǎo)通狀態(tài)的嗎? 因?yàn)槲铱词謨?cè)的  GS(th)是 -1 ~ -3 的范圍,有點(diǎn)迷茫了。
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ID:531419 發(fā)表于 2022-8-17 13:10 | 顯示全部樓層
cnos 發(fā)表于 2022-8-16 14:41
AT8236,A4950這些芯片不香嗎,不用自己搭H橋啦

哦哦,感謝您的建議,以前用過(guò)L298N那個(gè)模塊,塊頭太大了。這次又想驅(qū)動(dòng)電機(jī)玩玩,在查驅(qū)動(dòng)電機(jī)方面的資料時(shí)就往怎么搭H橋這里查了。確實(shí)忘記往集成電路這里想,用集成好的芯片,尺寸也會(huì)小很多。
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ID:688692 發(fā)表于 2022-8-20 16:13 | 顯示全部樓層
飛奔的哇哈哈 發(fā)表于 2022-8-17 13:10
哦哦,感謝您的建議,以前用過(guò)L298N那個(gè)模塊,塊頭太大了。這次又想驅(qū)動(dòng)電機(jī)玩玩,在查驅(qū)動(dòng)電機(jī)方面的資 ...

L298都是哪一年的了,現(xiàn)在的芯片,SOP8,3A,30V。包含了一個(gè)完整的H橋,還附帶過(guò)流短路保護(hù),自己別瞎折騰 了。
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