單片機(jī)內(nèi)部時(shí)鐘和RTOS系統(tǒng)

ID:668004 · 發(fā)表于 2022-9-23 13:42

1.rtos也不是更好，只是看需求，當(dāng)你有一些復(fù)雜應(yīng)用，多任務(wù)調(diào)度，你裸機(jī)就很麻煩控制時(shí)間，最多自己寫(xiě)一個(gè)時(shí)間片調(diào)度，那RTOS更好進(jìn)行任務(wù)管理。相當(dāng)于是單片機(jī)的系統(tǒng)了，所以一般物料網(wǎng)產(chǎn)品上RTOS會(huì)方便很多？

2.內(nèi)置高速時(shí)鐘，低速時(shí)鐘，有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？一般場(chǎng)合，能用內(nèi)部時(shí)鐘代替晶振不？

ID:752974 · 發(fā)表于 2022-9-23 15:08

可以用，就是精度稍差點(diǎn)，其它方面沒(méi)問(wèn)題。

ID:123289 · 發(fā)表于 2022-9-23 17:31

高低內(nèi)外的區(qū)別：
精度、速度、耗電。主要在這三個(gè)方面。

ID:629502 · 發(fā)表于 2022-9-23 17:45

一般場(chǎng)合內(nèi)部晶振也是可以直接使用的，就是精度上沒(méi)有外部時(shí)鐘精準(zhǔn)，要求不高的可以直接使用

ID:883242 · 發(fā)表于 2022-9-23 21:16

第二個(gè)問(wèn)題找個(gè)datasheet看下LSI、HSI的參數(shù)看一下比上論壇來(lái)問(wèn)要靠譜太多了。

ID:668004 · 發(fā)表于 2022-9-26 16:32

munuc_w 發(fā)表于 2022-9-23 15:08
可以用，就是精度稍差點(diǎn)，其它方面沒(méi)問(wèn)題。

不需要很精準(zhǔn) 但是要滿足產(chǎn)品五年的使用壽命現(xiàn)在ADC采集的頻率是每100ms采集一次數(shù)據(jù) 每15秒存一次數(shù)據(jù) （一次數(shù)據(jù)多少字節(jié) 不清楚我是搞硬件的對(duì)這些還沒(méi)搞通透）如果用flash當(dāng)做EEPROM用能擦寫(xiě)多少次換算成年是多少年

ID:1045963 · 發(fā)表于 2022-9-26 22:12

要求不高可以，內(nèi)部的精度都不行。

ID:1034262 · 發(fā)表于 2022-9-27 11:06

看你對(duì)時(shí)鐘的要求了，只要其精度滿足你的要求，溫漂、抖動(dòng)也滿足你的要求，那用內(nèi)部更好，少個(gè)晶振，更可靠。
至于RTOS，看你項(xiàng)目要求了。多任務(wù)也可以不用RTOS的，基于時(shí)間片處理任務(wù)、時(shí)間觸發(fā)任務(wù)等等都可以做到RTOS類似的功能。

ID:883242 · 發(fā)表于 2022-9-28 02:46

QWE4562012 發(fā)表于 2022-9-26 16:32
不需要很精準(zhǔn) 但是要滿足產(chǎn)品五年的使用壽命現(xiàn)在ADC采集的頻率是每100ms采集一 ...

你自己查datasheet，以前flash寫(xiě)壽命在10萬(wàn)次左右，現(xiàn)代精簡(jiǎn)很多次的低成本工藝，已經(jīng)在1萬(wàn)次左右，也有更低的比如STM8S003可以做到100次。同樣的24系列eeprom曾經(jīng)的寫(xiě)壽命是1000萬(wàn)次，現(xiàn)在已經(jīng)成功地降低到了100萬(wàn)次，如果都不夠用，就用鐵電吧。

flash和eeprom只有寫(xiě)是有次數(shù)限制的，讀沒(méi)有次數(shù)限制，讀沒(méi)有壽命的概念，只有MTBF的概念。

帳號(hào)		自動(dòng)登錄	找回密碼
密碼			立即注冊(cè)