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關(guān)于EEPROM擦寫(xiě)頻率

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樓主
ID:668004 發(fā)表于 2022-11-9 18:55 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
EEPROM擦寫(xiě)頻率怎么理解?怎么根據(jù)擦寫(xiě)頻率選擇EEPROM還是flash?比如如下這個(gè)案列

每100ms采集一次數(shù)據(jù),每秒存20個(gè)字節(jié)(實(shí)際使用清空EEPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是每周清除三次,這個(gè)是否也是擦寫(xiě)頻率的一種?)這種應(yīng)用場(chǎng)景,用外接的EEPROM還是用MCU的flash?用flash可以節(jié)省成本!畢竟128Kbit&SOT23-5封裝的EEPROM價(jià)格有些貴!而且找不到國(guó)產(chǎn)的!交期也是問(wèn)題,目前只有微芯microchip才有!
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ID:213173 發(fā)表于 2022-11-9 22:00 | 只看該作者
flash擦寫(xiě)壽命大約10萬(wàn)次。每秒擦寫(xiě)一次要不了兩天就廢了。通常是在斷電時(shí)把關(guān)鍵數(shù)據(jù)保存在EEPROM,下次得電時(shí)取用。
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ID:883242 發(fā)表于 2022-11-9 22:24 | 只看該作者
wulin 發(fā)表于 2022-11-9 22:00
flash擦寫(xiě)壽命大約10萬(wàn)次。每秒擦寫(xiě)一次要不了兩天就廢了。通常是在斷電時(shí)把關(guān)鍵數(shù)據(jù)保存在EEPROM,下次得 ...

你太低估現(xiàn)代偷工減料的水平了,flash的10萬(wàn)次擦寫(xiě)壽命是很多年前的,現(xiàn)代flash壽命普遍在1萬(wàn)次,這還是SLC,還有DLC、TLC、QLC壽命更短的,不過(guò)沒(méi)有用在單片機(jī)上。

同樣的eeprom以前普遍在1000萬(wàn)次寫(xiě)壽命,現(xiàn)在已經(jīng)下降到100萬(wàn)次了。

樓主的要求恐怕只有鐵電能完成,寫(xiě)的太頻繁了。
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ID:155507 發(fā)表于 2022-11-9 22:26 | 只看該作者
你可以用NVRAM。

FLASH必須以扇區(qū)為單位訪(fǎng)問(wèn),而NVRAM以字節(jié)為單位訪(fǎng)問(wèn)。

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5#
ID:879348 發(fā)表于 2022-11-10 08:28 | 只看該作者
代價(jià)有點(diǎn)大,你的單片機(jī)需要開(kāi)辟非常大的寫(xiě)空間才行,最少要開(kāi)辟1024Kbytes的空間,這樣大概10幾小時(shí)擦除一次
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6#
ID:123289 發(fā)表于 2022-11-10 09:21 | 只看該作者
CPU中的非易失性存儲(chǔ)器通常是按片區(qū)分的,即要擦擦一片,教你一個(gè)方案,供你參考:
1、開(kāi)辟一個(gè)區(qū)域存儲(chǔ)數(shù)據(jù),如2000-7FFFH,設(shè)其中有N個(gè)區(qū)擦除區(qū)(通常每區(qū)512字節(jié))。
2、循環(huán)覆蓋方式存儲(chǔ),這樣不至于盯著一個(gè)地方擦寫(xiě)。
3、每個(gè)區(qū)的前12個(gè)字節(jié)備用,第1個(gè)字節(jié)作為標(biāo)記,=FF,表示空區(qū)(該區(qū)擦過(guò)了),反之未用。
剩下的500個(gè)字節(jié)分成25個(gè)組,每組剛好存20個(gè)字節(jié)。
操作:
1、順序存入數(shù)據(jù),寫(xiě)滿(mǎn)后循環(huán)重頭開(kāi)始。
2、開(kāi)始:每次上電,從頭開(kāi)始找20個(gè)全是FF的組,就是開(kāi)始的地方。(各區(qū)前12個(gè)不用,格式就固定了)
3、擦除:先確認(rèn)本區(qū)是否為空(首字節(jié)是非為FF),不是FF就擦除本區(qū)。
4、跨區(qū)的技巧及要點(diǎn):要做兩件事。
第一件:擦除下個(gè)區(qū)!設(shè)區(qū)號(hào)是1,2,3,4,5……,當(dāng)前操作在2區(qū),當(dāng)2區(qū)結(jié)束,進(jìn)入3區(qū)時(shí),卻要擦除4區(qū)!!。即在任何時(shí)刻保證下一個(gè)區(qū)一定是空的(全FF),目的:防止循環(huán)重復(fù)時(shí),開(kāi)機(jī)后找不到空位置(20個(gè)全FF)的情況出現(xiàn)。
第二件:清除新區(qū)的標(biāo)記,即將3區(qū)的首字節(jié)FF,改為xx(你定義一個(gè)非FF值,表示本區(qū)開(kāi)始起用),再?gòu)牡?2個(gè)單元開(kāi)始存數(shù)據(jù)。
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7#
ID:491577 發(fā)表于 2022-11-10 10:07 | 只看該作者
flash擦寫(xiě)壽命大約10萬(wàn)次,具體看數(shù)據(jù)手冊(cè),10萬(wàn)次是指擦除的次數(shù),不是指寫(xiě)的次數(shù),讀是無(wú)限的。
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8#
ID:1034262 發(fā)表于 2022-11-10 10:31 | 只看該作者
從頭寫(xiě)到尾算一次,可以長(zhǎng)壽很多倍。
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9#
ID:668004 發(fā)表于 2022-11-14 16:11 | 只看該作者
比如壽命是10萬(wàn)次  那么這里能使用多少年?
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10#
ID:668004 發(fā)表于 2022-11-14 16:11 | 只看該作者
Hephaestus 發(fā)表于 2022-11-9 22:24
你太低估現(xiàn)代偷工減料的水平了,flash的10萬(wàn)次擦寫(xiě)壽命是很多年前的,現(xiàn)代flash壽命普遍在1萬(wàn)次,這還是S ...

這里怎么判斷頻次
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11#
ID:668004 發(fā)表于 2022-11-14 16:12 | 只看該作者
yzwzfyz 發(fā)表于 2022-11-10 09:21
CPU中的非易失性存儲(chǔ)器通常是按片區(qū)分的,即要擦擦一片,教你一個(gè)方案,供你參考:
1、開(kāi)辟一個(gè)區(qū)域存儲(chǔ)數(shù) ...

比如壽命是10萬(wàn)次  那么這里能使用多少年?
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12#
ID:668004 發(fā)表于 2022-11-14 16:13 | 只看該作者
每100ms采集一次數(shù)據(jù),每秒存20個(gè)字節(jié)和清空EEPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是每周清除三次,,哪個(gè)才是擦寫(xiě)次數(shù)
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13#
ID:668004 發(fā)表于 2022-11-14 16:15 | 只看該作者
每100ms采集一次數(shù)據(jù),每秒存20個(gè)字節(jié)和清空EEPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是每周清除三次,,哪個(gè)才是擦寫(xiě)次數(shù)??10萬(wàn)次的壽命這里能用多少年
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14#
ID:161164 發(fā)表于 2022-11-14 17:29 | 只看該作者
每秒存20個(gè)字節(jié):
假設(shè)有5k EEProm = 5 * 1024 = 5120
寫(xiě)滿(mǎn)一次要 5120/20 = 256秒
寫(xiě)100000次要 256 * 100000 = 25600000秒 = 296日

清空EEPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是每周清除三次:
寫(xiě)滿(mǎn)一次要 7 * 24 * 3600 /3 = 201600秒
每秒存20個(gè)字節(jié),即EEProm容量為201600 * 20 = 4032000 字節(jié) = 3.8MB
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15#
ID:624769 發(fā)表于 2022-11-14 17:59 | 只看該作者
QWE4562012 發(fā)表于 2022-11-14 16:12
比如壽命是10萬(wàn)次  那么這里能使用多少年?

STC  號(hào)稱(chēng) 10萬(wàn)次擦寫(xiě), 也許我運(yùn)氣比較好 有一片 STC15W204S 擦寫(xiě) 約 0.5萬(wàn)次,卒。那時(shí)候也是學(xué)單片機(jī)的初級(jí)階段,是狂做實(shí)驗(yàn),才擦寫(xiě)那么多次,一般也不可能真的去測(cè),對(duì)吧? 之后,換了另一片STC15W204S 至今擦寫(xiě) 約2萬(wàn)次,還沒(méi)掛,以及一片89C52 也是2萬(wàn)來(lái)次 未掛,其他型號(hào)的基本都只寫(xiě)了幾百次,不好判斷。所以,具體平均擦寫(xiě)次數(shù)不好說(shuō),但是,我這邊已經(jīng)把 最壞的情況 5000次,作為設(shè)計(jì)的參考量了。
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