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在MOS管的D和S之間串聯(lián)RC電路

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ID:668004 發(fā)表于 2023-6-3 13:38 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
在MOS管的D和S之間串聯(lián)RC電路是為了吸收D和S之間電流發(fā)峰值嗎?減小D和S之間的電流或者電壓應(yīng)力?

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ID:668004 發(fā)表于 2023-6-3 13:42 | 只看該作者
RC的值如何取呢?
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ID:202023 發(fā)表于 2023-6-4 08:26 | 只看該作者
吸收?那會(huì)引起振蕩,rc串聯(lián)電路就是振蕩電路的一種,不如去掉電感,直接用電容。
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地板
ID:213173 發(fā)表于 2023-6-4 10:16 | 只看該作者
QWE4562012 發(fā)表于 2023-6-3 13:42
RC的值如何取呢?

“電流發(fā)峰值、電壓應(yīng)力”都是樓主自定義的詞匯,他人難以解釋。圖中RC接法也不是典型應(yīng)用。沒(méi)有完整電路不易判斷其設(shè)計(jì)意圖。
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5#
ID:883242 發(fā)表于 2023-6-4 15:50 | 只看該作者
一般這種RC串聯(lián)是吸收負(fù)載尖峰電壓的snubber,樓主把圖畫成這樣還想讓別人告訴你RC參數(shù)如何��?
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6#
ID:1081965 發(fā)表于 2023-6-4 15:52 | 只看該作者
這是一個(gè)橋臂電路嗎
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7#
ID:123289 發(fā)表于 2023-6-5 11:21 | 只看該作者
這種設(shè)計(jì)針對(duì)性很強(qiáng),不是普遍的行為。
你需要結(jié)合電路的其它部分來(lái)分析。
例如:MOS承壓200,但電路中會(huì)出現(xiàn)250V的尖峰,再依據(jù)尖峰的寬度,頻率來(lái)決定RC。
當(dāng)RC無(wú)法解決時(shí),還需要用其它方案配合。
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8#
ID:1082051 發(fā)表于 2023-6-5 12:20 | 只看該作者
同問(wèn),看不懂這個(gè)是什么意思。
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9#
ID:1063163 發(fā)表于 2023-6-7 15:47 | 只看該作者
該 RC 電路用于抑制在“暫�!保ㄋ绤^(qū)時(shí)間)時(shí)刻發(fā)生的“寄生”(不需要的)振蕩,此時(shí)“上方”晶體管已經(jīng)關(guān)閉,而“下方”晶體管尚未開啟。

根據(jù)產(chǎn)生的波動(dòng)的性質(zhì),選擇 R 和 C 的值:
- 如果是由于負(fù)載線的寄生電感引起的“振鈴”(高頻振蕩,“噪聲”),那么通常使用 C = 0.01-0.1 μF 和 R = 10-100 Ohm。 選擇(觀察示波器上的波形),從C = 0.01和R = 100開始,然后增加電容并減少電阻,直到獲得抑制(減少到安全)。
- 如果這些是串聯(lián)振蕩電路中的低頻振蕩,由負(fù)載電感(電動(dòng)機(jī)、螺線管等)和晶體管的寄生電容獲得,則選擇 C ​​以防止發(fā)生危險(xiǎn)的過(guò)電壓(對(duì)于晶體管)和 R - 以確保衰減這些波動(dòng)。 也就是說(shuō),R 和 C 是為將要連接的負(fù)載單獨(dú)選擇的。

從理論上講,這些振蕩的能量可以存儲(chǔ)并返回到源頭(“恢復(fù)”),但實(shí)際上,與設(shè)計(jì)、計(jì)算和測(cè)試這種恢復(fù)方案相比,損失 5-10W 的功率更容易(更便宜)(需要有經(jīng)驗(yàn)的設(shè)計(jì)工程師和測(cè)試工程師)。

無(wú)論如何 - 我們必須記住,RC 電路會(huì)將通過(guò)晶體管的“有用”能量的一部分轉(zhuǎn)化為熱量(耗散) - 因此,您需要有一個(gè)電流余量(晶體管功率)。
而且在選擇R和C時(shí),不要忘記諧振時(shí)會(huì)出現(xiàn)過(guò)電壓,即電容器的工作電壓可能需要1000-2000V,以防止其在“不幸的情況下”擊穿。 如果負(fù)載電感很大,電阻的功率可達(dá)數(shù)十瓦,甚至數(shù)百瓦(需要冷卻,通常甚至是強(qiáng)制冷卻)。 另外,不要忘記電阻器上也有高電壓 - 也就是說(shuō),它必須是合適的類型(即使在“最壞情況”下也不應(yīng)擊穿)。

(對(duì)不起我的語(yǔ)言 - 機(jī)器翻譯并不完美)
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10#
ID:256751 發(fā)表于 2023-6-7 16:12 | 只看該作者
吸收Q1關(guān)斷時(shí)D.S兩端產(chǎn)生的電壓尖峰
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11#
ID:668004 發(fā)表于 2023-6-7 17:25 | 只看該作者
Hephaestus 發(fā)表于 2023-6-4 15:50
一般這種RC串聯(lián)是吸收負(fù)載尖峰電壓的snubber,樓主把圖畫成這樣還想讓別人告訴你RC參數(shù)如何��?

具體怎么選嘛  比如頻率是1.7M  幅值是56V 占空比是20%  后級(jí)電感是0.47uH,負(fù)載電流是100mA

整個(gè)電路不方便畫出來(lái)。。。
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12#
ID:668004 發(fā)表于 2023-6-7 17:25 | 只看該作者
huaruolong 發(fā)表于 2023-6-4 08:26
吸收?那會(huì)引起振蕩,rc串聯(lián)電路就是振蕩電路的一種,不如去掉電感,直接用電容。

那個(gè)是電阻  不是電感
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13#
ID:668004 發(fā)表于 2023-6-7 17:26 | 只看該作者
EdwardTsapiev 發(fā)表于 2023-6-7 15:47
該 RC 電路用于抑制在“暫�!保ㄋ绤^(qū)時(shí)間)時(shí)刻發(fā)生的“寄生”(不需要的)振蕩,此時(shí)“上方”晶體管已經(jīng)關(guān) ...

實(shí)在看不懂  不過(guò)非常感謝你   你是哪國(guó)人
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14#
ID:668004 發(fā)表于 2023-6-7 17:27 | 只看該作者
yzwzfyz 發(fā)表于 2023-6-5 11:21
這種設(shè)計(jì)針對(duì)性很強(qiáng),不是普遍的行為。
你需要結(jié)合電路的其它部分來(lái)分析。
例如:MOS承壓200,但電路中會(huì) ...

具體怎么選嘛  比如頻率是1.7M  幅值是56V 占空比是20%  后級(jí)電感是0.47uH,負(fù)載電流是100mA
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15#
ID:883242 發(fā)表于 2023-6-7 17:56 | 只看該作者
QWE4562012 發(fā)表于 2023-6-7 17:25
具體怎么選嘛  比如頻率是1.7M  幅值是56V 占空比是20%  后級(jí)電感是0.47uH,負(fù)載電流是100mA

整個(gè)電路 ...

你不方便畫出來(lái)我也不方便回答,問(wèn)別人吧。
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16#
ID:668004 發(fā)表于 2023-6-7 18:01 | 只看該作者
具體怎么選嘛  比如頻率是1.7M  幅值是56V 占空比是20%  后級(jí)電感是0.47uH,負(fù)載電流是100mA  無(wú)非我想要知道的事并聯(lián)在D和S之間的R和C的取值計(jì)算
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17#
ID:668004 發(fā)表于 2023-6-7 18:01 | 只看該作者
Hephaestus 發(fā)表于 2023-6-4 15:50
一般這種RC串聯(lián)是吸收負(fù)載尖峰電壓的snubber,樓主把圖畫成這樣還想讓別人告訴你RC參數(shù)如何取?

具體怎么選嘛  比如頻率是1.7M  幅值是56V 占空比是20%  后級(jí)電感是0.47uH,負(fù)載電流是100mA  無(wú)非我想要知道的事并聯(lián)在D和S之間的R和C的取值計(jì)算
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18#
ID:668004 發(fā)表于 2023-6-7 18:02 | 只看該作者
yzwzfyz 發(fā)表于 2023-6-5 11:21
這種設(shè)計(jì)針對(duì)性很強(qiáng),不是普遍的行為。
你需要結(jié)合電路的其它部分來(lái)分析。
例如:MOS承壓200,但電路中會(huì) ...

,再依據(jù)尖峰的寬度,頻率來(lái)決定RC。比如寬度是10ms  怎么選擇RC
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19#
ID:668004 發(fā)表于 2023-6-12 16:26 | 只看該作者
Hephaestus 發(fā)表于 2023-6-7 17:56
你不方便畫出來(lái)我也不方便回答,問(wèn)別人吧。

10R&220P
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20#
ID:137736 發(fā)表于 2024-7-5 22:02 | 只看該作者
huaruolong 發(fā)表于 2023-6-4 08:26
吸收?那會(huì)引起振蕩,rc串聯(lián)電路就是振蕩電路的一種,不如去掉電感,直接用電容。

RC電路,不是LC電路。
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21#
ID:879348 發(fā)表于 2024-7-8 08:41 | 只看該作者
通常這是為了通過(guò)EMC測(cè)試才需要加入這個(gè)電路
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