設(shè)為首頁(yè)收藏本站

開(kāi)啟輔助訪問(wèn) 切換到寬版

快捷導(dǎo)航

熱門： 51單片機(jī) | 24小時(shí)必答區(qū) | 單片機(jī)教程 | 單片機(jī)DIY制作 | STM32 | Cortex M3 | 模數(shù)電子 | 電子DIY制作 | 音響/功放 | 拆機(jī)樂(lè)園 | Arduino | 嵌入式OS | 程序設(shè)計(jì)

»論壇 › 電子技術(shù)分類討論區(qū) › 資料共享 › PL60N02D 20VN通道增強(qiáng)模式MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管

發(fā)新帖

查看: 1015|回復(fù): 0

上一主題

下一主題

收起左側(cè)

PL60N02D 20VN通道增強(qiáng)模式MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管

[復(fù)制鏈接]

電梯直達(dá)

跳轉(zhuǎn)到指定樓層

樓主

ID:874201 發(fā)表于 2023-7-4 10:07 | 只看該作者 |只看大圖回帖獎(jiǎng)勵(lì)

回帖獎(jiǎng)勵(lì)

|倒序?yàn)g覽 |閱讀模式

一般說(shuō)明
PL60N02D采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）、低柵極電荷和柵極電壓低至2.5V的操作。本設(shè)備適用于用作電池保護(hù)或其他開(kāi)關(guān)應(yīng)用程序。

一般特征
VDS = 20V ID =60A
RDS(ON) < 5.5mΩ@ VGS=10V

應(yīng)用
蓄電池保護(hù)
負(fù)荷開(kāi)關(guān)
不間斷電源

分享到: QQ好友和群 QQ空間 騰訊微博 騰訊朋友

收藏1 淘帖0 頂0 踩0

回復(fù)

使用道具舉報(bào)

發(fā)新帖

小黑屋|51黑電子論壇 | 管理員QQ:125739409;技術(shù)交流QQ群281945664

Powered by 單片機(jī)教程網(wǎng)

快速回復(fù) 返回頂部 返回列表