|
|
BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品.pdf
(316.25 KB, 下載次數(shù): 4)
2023-9-5 21:45 上傳
點(diǎn)擊文件名下載附件
BASiC-B1M032120HC_Rev_0_0.pdf
(585.43 KB, 下載次數(shù): 0)
2023-9-5 21:45 上傳
點(diǎn)擊文件名下載附件
BASiC-B1M032120HK_Rev_0_4.pdf
(2.14 MB, 下載次數(shù): 1)
2023-9-5 21:45 上傳
點(diǎn)擊文件名下載附件
BASiC-B1M032120HKR_Rev_0_0.pdf
(2.18 MB, 下載次數(shù): 0)
2023-9-5 21:45 上傳
點(diǎn)擊文件名下載附件
BASiC-B1M080120HC_Rev_0_3.pdf
(703.28 KB, 下載次數(shù): 0)
2023-9-5 21:45 上傳
點(diǎn)擊文件名下載附件
BASiC-B1M080120HC_Rev_0_4.pdf
(1.85 MB, 下載次數(shù): 0)
2023-9-5 21:45 上傳
點(diǎn)擊文件名下載附件
BASiC-B1M160120HC_Rev_0_0.pdf
(631.06 KB, 下載次數(shù): 0)
2023-9-5 21:45 上傳
點(diǎn)擊文件名下載附件
BASiC-B2M035120YP_Rev_0_0.pdf
(1.28 MB, 下載次數(shù): 0)
2023-9-5 21:45 上傳
點(diǎn)擊文件名下載附件
BASiC-B2M040120H_Rev_0_1.pdf
(1.3 MB, 下載次數(shù): 0)
2023-9-5 21:45 上傳
點(diǎn)擊文件名下載附件
BASiC-B2M040120Z_Rev_0_1.pdf
(1.28 MB, 下載次數(shù): 0)
2023-9-5 21:45 上傳
點(diǎn)擊文件名下載附件
BASiC-B2M065120H_Rev_0_0.pdf
(2.33 MB, 下載次數(shù): 0)
2023-9-5 21:45 上傳
點(diǎn)擊文件名下載附件
BASiC-B2M065120R_Rev_0_0.pdf
(2.26 MB, 下載次數(shù): 0)
2023-9-5 21:45 上傳
點(diǎn)擊文件名下載附件
BASiC-B2M065120Z_Rev_0_0.pdf
(2.36 MB, 下載次數(shù): 0)
2023-9-5 21:45 上傳
點(diǎn)擊文件名下載附件
碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可提高功率回路開關(guān)頻率，提升系統(tǒng)效率及功率密度，降低系統(tǒng)綜合成本。適用于高性能變換器電路與數(shù)字化先進(jìn)控制、高效率 DC/DC 拓?fù)渑c控制，雙向 AC/DC、電動汽車車載充電機(jī)（OBC）/雙向OBC、車載電源、集成化 OBC ，雙向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓?fù)渑c控制，直流配網(wǎng)的電力電子變換器。
基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺進(jìn)行開發(fā)，比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產(chǎn)品基礎(chǔ)上，基本半導(dǎo)體還推出了帶有輔助源極的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件，以更好地滿足客戶需求。
基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET亮點(diǎn)
更低比導(dǎo)通電阻：第二代碳化硅MOSFET通過綜合優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)方案，比導(dǎo)通電阻降低約40%，產(chǎn)品性能顯著提升。
更低器件開關(guān)損耗：第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%，開關(guān)損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。
更高可靠性：第二代碳化硅MOSFET通過更高標(biāo)準(zhǔn)的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核，產(chǎn)品可靠性表現(xiàn)出色。
更高工作結(jié)溫：第二代碳化硅MOSFET工作結(jié)溫達(dá)到175°C，提高器件高溫工作能力。
基本半導(dǎo)體第二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M065120H，B2M065120Z，B2M065120R，B2M040120H，B2M040120Z，B2M040120R，B2M035120YP，B2M020120H，B2M020120Z，B2M020120R，B2M1000170H，B2M1000170Z，B2M1000170R，B2M0242000Z。適用大功率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊，半橋SiC MOSFET模塊，ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊，T型三電平模塊，MPPT BOOST SiC MOSFET模塊。
B2M035120YP國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R030M1H，安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。
B2M0242000Z國產(chǎn)替代英飛凌IMYH200R024M1H。
B2M040120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R040M1H，安森美NTH4L040N120M3S，NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K，意法SCT040W120G3-4AG。
B2M020120Z國產(chǎn)替代英飛凌IMZA120R020M1H，安森美NTH4L020N120SC1，NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K，意法SCT015W120G3-4AG。
B2M1000170R國產(chǎn)代替英飛凌IMBF170R1K0M1，安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。
B2M065120H國產(chǎn)代替安森美NTHL070N120M3S。
B2M065120Z國產(chǎn)代替英飛凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N120M3S，C3M0075120K-A，意法SCT070W120G3-4AG。
LLC，移相全橋等應(yīng)用實(shí)現(xiàn)ZVS主要和功率MOSFET的Coss、關(guān)斷速度和體二極管壓降等參數(shù)有關(guān)。Coss決定所需諧振電感儲能的大小，值越大越難實(shí)現(xiàn)ZVS；更快的關(guān)斷速度可以減少對儲能電感能量的消耗，影響體二極管的續(xù)流維持時(shí)間或者開關(guān)兩端電壓能達(dá)到的最低值；因?yàn)槔m(xù)流期間的主要損耗為體二極管的導(dǎo)通損耗。B2M跟競品比，B2M第二代碳化硅MOSFET的Coss更�。�115pF），需要的死區(qū)時(shí)間初始電流小；B2M第二代碳化硅MOSFET抗側(cè)向電流觸發(fā)寄生BJT的能力更強(qiáng)。B2M第二代碳化硅MOSFET的體二極管的Vf和trr比競品優(yōu)勢明顯，能減少LLC里面Q2的硬關(guān)斷的風(fēng)險(xiǎn)。綜合來看，相對競品，在LLC，移相全橋型電源應(yīng)用中B2M第二代碳化硅MOSFET表現(xiàn)會更好.
|
|
