郁悶了 MCU芯片休眠了,板子電流反而暴漲

ID:69038 · 發(fā)表于 2023-9-27 17:49

半年前的方案，一直在試樣、改板�，F(xiàn)在要生產，都已貼板3K片在流水了。。。
線上隨機測試，發(fā)現(xiàn)機器休眠時，電流暴漲到180ma

正常只有不到1ma的

難道之前的測試都是假的？
今晚要加班了，呵呵~~

ID:883242 · 發(fā)表于 2023-9-27 19:48

只有單片機可以休眠，顯然是休眠時IO口狀態(tài)讓外圍電路進入高功耗狀態(tài)了唄。

ID:213173 · 發(fā)表于 2023-9-27 20:10

休眠前要根據(jù)實際電路配置IO模式，關閉所有可能耗電的外圍電路。

ID:1083996 · 發(fā)表于 2023-9-27 20:53

單片機工作時對后面電路狀態(tài)有個鎖定，一旦單片機休眠，IO口若無上拉或下拉電阻給鎖定電位，后續(xù)電路處于隨機開啟狀態(tài)，可能是飽和狀態(tài)，甚至會自激；還有就是在開啟和關閉的狀態(tài)轉換時，突然變化的電平，可能讓電路變得不聽話
找出具體哪個模塊讓電流這么大的；

ID:582276 · 發(fā)表于 2023-9-27 22:13

有些高阻抗的元件（如MOS管的G極）懸空時可能會導通。

ID:517951 · 發(fā)表于 2023-9-28 07:21

要查下IO口的狀態(tài), 是不是把NPN的B拉高了, PNP的B拉低了.導致三極管/mos管等進入導通狀態(tài)了.

ID:712097 · 發(fā)表于 2023-9-28 08:07

不可能是芯片本身產生的電流，最大的可能是休眠時IO的狀態(tài)可以驅動外圍電路產生的電流。

ID:195496 · 發(fā)表于 2023-9-28 08:17

應該是外圍電路的問題

ID:23606 · 發(fā)表于 2023-9-28 08:20

單片機休眠了，外圍電路可能才睡醒

ID:236035 · 發(fā)表于 2023-9-28 08:53

從描述來看，方案不會有問題。程序也不會有問題。一定是現(xiàn)在的電路有了問題，和程序不匹配了。導致進入低功耗時，某幾個IO口的配置導致大電流的。需要硬件逐一排查。

ID:69038 · 發(fā)表于 2023-9-28 09:10

加了這2個電阻就好了

不知啥時起，休眠時把所有IO都置為高阻了，所以這2個IO出軌了！
電路設計也有缺陷，以為是輸出就無需下拉了。
測試也不認真，前一版測試OK的功能，后一版就不測了
板上不留下載口，拆下重燒是不可能了，只能一個一個地加焊2個電阻了到12點多才全部焊完。。5個多小時。。。

吸取教訓：能ISP的一定要留接口，除非放不下。設計一定要有冗余。代碼更改要有注釋、更新記錄。每一版本的測試務必全功能測試，不可偷懶。

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