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試過(guò)小功率三極管,發(fā)現(xiàn)做開關(guān)時(shí)沒有放大時(shí)快,bjt進(jìn)入飽和區(qū)后退出來(lái)很慢,MOS的GS極等效為電容,電荷可以用驅(qū)動(dòng)的負(fù)壓強(qiáng)行抽出來(lái),另外就是三極管有個(gè)增益帶寬積,方波含有大量的頻率分量,會(huì)顯得ft很虛,MOS沒標(biāo)增益帶寬積,但見過(guò)普通功率MOS用在短波功放上的,還有現(xiàn)在的升降壓芯片用的都是MOS,動(dòng)不動(dòng)就是上MHz的開關(guān)頻率,但我認(rèn)為這樣比較沒啥意義,碳化硅,氮化鎵也是MOS,三極管也有射頻管,只能說(shuō)哪個(gè)更適合 |
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