W25Q32存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)，上位機(jī)串口通信異常怎么解決？

ID:1104941 · 發(fā)表于 2024-2-29 19:00

每次往25Q32存儲(chǔ)256字節(jié)數(shù)據(jù)，看手冊(cè)貌似要200MS（擦除時(shí)間久），這是時(shí)間上位機(jī)有命令來的話，執(zhí)行串口中斷，會(huì)有通信異常。

ID:1111855 · 發(fā)表于 2024-2-29 20:23

數(shù)據(jù)發(fā)送中間歇性數(shù)據(jù)異常漏發(fā)亂發(fā)

ID:458247 · 發(fā)表于 2024-3-1 08:43

1、如果單片機(jī)有dma功能，則用dma接收串口數(shù)據(jù)
2、25Q32看能不能用狀態(tài)機(jī)編程，刪除指令發(fā)出后不死等，等到下次執(zhí)行時(shí)判斷有沒有擦除成功，若擦除成功了再進(jìn)行寫操作
3、25Q32的刪除操作看看能不能在程序初始化的時(shí)候就做好

ID:370824 · 發(fā)表于 2024-3-1 08:45

1. 200ms擦除時(shí)間不需要mcu一直干預(yù)，執(zhí)行完擦除指令，就退出來。2. 通訊采用中斷模式，若硬件有獨(dú)立自緩存區(qū)可以使用查詢模式，不會(huì)影響與上位機(jī)通訊。

ID:636806 · 發(fā)表于 2024-3-1 10:19

1、提前擦除扇區(qū)；2、實(shí)在避免不了擦除的時(shí)間，就先將數(shù)據(jù)緩存下來，擦除完成后再將緩存數(shù)據(jù)寫入

ID:1104941 · 發(fā)表于 2024-3-1 14:01

臭獅子發(fā)表于 2024-3-1 10:19
1、提前擦除扇區(qū)；2、實(shí)在避免不了擦除的時(shí)間，就先將數(shù)據(jù)緩存下來，擦除完成后再將緩存數(shù)據(jù)寫入

好的，目前參照這個(gè)做著

ID:1104941 · 發(fā)表于 2024-3-1 14:03

yzw846562238 發(fā)表于 2024-3-1 08:43
1、如果單片機(jī)有dma功能，則用dma接收串口數(shù)據(jù)
2、25Q32看能不能用狀態(tài)機(jī)編程，刪除指令發(fā)出后不死等，等 ...

受教了，因?yàn)槭盏酱诿钣猩婕坝?jì)算操作，感覺DMA不能用。狀態(tài)機(jī)編程我看下好不好實(shí)現(xiàn)

ID:1111904 · 發(fā)表于 2024-3-1 14:04

執(zhí)行完擦除指令后，讀取狀態(tài)寄存器，判斷是否擦除完成，然后再進(jìn)行寫入數(shù)據(jù)

ID:1104941 · 發(fā)表于 2024-3-1 14:09

JACKRENYONG 發(fā)表于 2024-3-1 08:45
1. 200ms擦除時(shí)間不需要mcu一直干預(yù)，執(zhí)行完擦除指令，就退出來。2. 通訊采用中斷模式，若硬件有獨(dú)立自緩存 ...

/**
  * @brief  等待WIP(BUSY)標(biāo)志被置0，即等待到FLASH內(nèi)部數(shù)據(jù)寫入完畢
  * @param  none
  * @retval none
  */
void SPI_FLASH_WaitForWriteEnd(void)
{
  u8 FLASH_Status = 0;

  /* 選擇 FLASH: CS 低 */
  SPI_FLASH_CS_LOW();

  /* 發(fā)送讀狀態(tài)寄存器命令 */
  SPI_FLASH_SendByte(W25X_ReadStatusReg);

  /* 若FLASH忙碌，則等待 */
  do
  {
/* 讀取FLASH芯片的狀態(tài)寄存器 */
FLASH_Status = SPI_FLASH_SendByte(Dummy_Byte);
  }
  while ((FLASH_Status & WIP_Flag) == SET);  /* 正在寫入標(biāo)志 */

  /* 停止信號(hào)  FLASH: CS 高 */
  SPI_FLASH_CS_HIGH();
}
這個(gè)是我25Q32擦除后等待擦除完畢的函數(shù)，沒有試過不等待直接退出的。我測試一下。
采用中斷的話，我擔(dān)心正在寫入數(shù)據(jù)時(shí)，串口中斷來了，寫進(jìn)去的數(shù)據(jù)異常。

ID:401564 · 發(fā)表于 2024-3-1 15:42

這個(gè)實(shí)際上是你程序的問題,就算是死等,中斷也不全影響到W25Q32的寫入的,它對(duì)最慢時(shí)鐘是沒有要求的,一秒鐘一個(gè)時(shí)鐘都可以
這可能是你中斷中有改變W25Q32的操作,這才會(huì)影響到的

ID:1104941 · 發(fā)表于 2024-3-2 09:29

Y_G_G 發(fā)表于 2024-3-1 15:42
這個(gè)實(shí)際上是你程序的問題,就算是死等,中斷也不全影響到W25Q32的寫入的,它對(duì)最慢時(shí)鐘是沒有要求的,一秒鐘一 ...

謝謝你的解疑，可以請(qǐng)教一下嗎？
1.W25Q32在寫過程中，來了中斷會(huì)影響保存的數(shù)據(jù)嗎？（中斷沒有操作25Q32）
2.目前中斷確實(shí)有操作25Q32的代碼，主循環(huán)每隔一段時(shí)間存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，串口中斷收到對(duì)應(yīng)命令，有操作25Q32。
目前是先等操作完再回應(yīng)上位機(jī)，我擔(dān)心不在中斷中操作25Q32，先回應(yīng)上位機(jī)再操作25Q32的話，馬上又有中斷來，還是會(huì)影響。

ID:401564 · 發(fā)表于 2024-3-2 11:47

bstljq 發(fā)表于 2024-3-2 09:29
謝謝你的解疑，可以請(qǐng)教一下嗎？
1.W25Q32在寫過程中，來了中斷會(huì)影響保存的數(shù)據(jù)嗎？（中斷沒有操作25Q3 ...

1,中斷不會(huì)影響W25Q32的操作,不管是時(shí)鐘低電平時(shí)觸發(fā)中斷還是字節(jié)只寫了一半,中斷都不會(huì)影響的
2,如果是中斷中要有對(duì)W25Q32的操作,正確的作法是設(shè)置一個(gè)標(biāo)志位,每次中斷只觸發(fā)標(biāo)志位,但不能直接對(duì)W25Q32進(jìn)行操作
在主函數(shù)中檢測標(biāo)志位,等到上一次W25Q32操作完成之后,再進(jìn)行操作,在子函數(shù)中清除標(biāo)志位
上位機(jī)操作一般就是這樣的,單片機(jī)檢測到上位機(jī)的命令之后,不直接操作的,先標(biāo)志一個(gè)標(biāo)志位,再在主函數(shù)中檢測標(biāo)志位,然后在對(duì)應(yīng)的函數(shù)中清除標(biāo)志位

ID:1104941 · 發(fā)表于 2024-3-2 18:58

Y_G_G 發(fā)表于 2024-3-2 11:47
1,中斷不會(huì)影響W25Q32的操作,不管是時(shí)鐘低電平時(shí)觸發(fā)中斷還是字節(jié)只寫了一半,中斷都不會(huì)影響的
2,如果是 ...

謝謝了，按照你的思路有改善。
目前有個(gè)難以理解的問題，我現(xiàn)在是在25Q32取出一片區(qū)域，這個(gè)區(qū)域分成N塊，每塊寫入256字節(jié)。每次寫之前讀取該塊的前8個(gè)字節(jié)，計(jì)算8字節(jié)累加和判斷是不是0XFF來確認(rèn)是否已經(jīng)擦除了。
現(xiàn)在的現(xiàn)象是，如果是上電使用整片擦除，后續(xù)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)讀出來的8字節(jié)都沒問題，驗(yàn)證都通過。
如果我是在單個(gè)扇區(qū)擦除，然后讀出8字節(jié)，就會(huì)檢驗(yàn)失敗。一個(gè)扇區(qū)里面有16個(gè)256字節(jié)的數(shù)據(jù)塊，起碼2個(gè)以上都是校驗(yàn)失敗的，其他的的校驗(yàn)成功。
扇區(qū)擦除加了讀BUSY狀態(tài)等待，而且后續(xù)還加了50MS軟件延遲，還是會(huì)出現(xiàn)問題。

ID:1104941 · 發(fā)表于 2024-3-2 18:59

Y_G_G 發(fā)表于 2024-3-2 11:47
1,中斷不會(huì)影響W25Q32的操作,不管是時(shí)鐘低電平時(shí)觸發(fā)中斷還是字節(jié)只寫了一半,中斷都不會(huì)影響的
2,如果是 ...

/**
  * @brief  擦除FLASH扇區(qū)
  * @param  SectorAddr：要擦除的扇區(qū)地址[24位地址，但是芯片會(huì)忽略掉低12位地址]
  * @retval 無
  */
void SPI_FLASH_SectorErase(u32 SectorAddr)
{
// #ifdef DEBUG_PRINTF
// printf("erase addr %x\r\n",SectorAddr);
// #endif
  /* 發(fā)送FLASH寫使能命令 */
  SPI_FLASH_WriteEnable();
  SPI_FLASH_WaitForWriteEnd();
  /* 擦除扇區(qū) */
  /* 選擇FLASH: CS低電平 */
  SPI_FLASH_CS_LOW();
  /* 發(fā)送扇區(qū)擦除指令*/
  SPI_FLASH_SendByte(W25X_SectorErase);
  /*發(fā)送擦除扇區(qū)地址的高位*/
  SPI_FLASH_SendByte((SectorAddr & 0xFF0000) >> 16);
  /* 發(fā)送擦除扇區(qū)地址的中位 */
  SPI_FLASH_SendByte((SectorAddr & 0xFF00) >> 8);
  /* 發(fā)送擦除扇區(qū)地址的低位 */
  SPI_FLASH_SendByte(SectorAddr & 0xFF);
  /* 停止信號(hào) FLASH: CS 高電平 */
  SPI_FLASH_CS_HIGH();
  /* 等待擦除完畢*/
  SPI_FLASH_WaitForWriteEnd();
}

/**
  * @brief  擦除FLASH扇區(qū)，整片擦除
* 描述  :25Q32擦除一次要7-8秒
  * @param  無
  * @retval 無
  */
void SPI_FLASH_BulkErase(void)
{
  /* 發(fā)送FLASH寫使能命令 */
  SPI_FLASH_WriteEnable();

  /* 整塊 Erase */
  /* 選擇FLASH: CS低電平 */
  SPI_FLASH_CS_LOW();
  /* 發(fā)送整塊擦除指令*/
  SPI_FLASH_SendByte(W25X_ChipErase);
  /* 停止信號(hào) FLASH: CS 高電平 */
  SPI_FLASH_CS_HIGH();

  /* 等待擦除完畢*/
  SPI_FLASH_WaitForWriteEnd();
}

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