關(guān)于增強(qiáng)型和耗盡型MOS的應(yīng)用

ID:709761 · 發(fā)表于 2024-5-23 14:45

什么情況使用耗盡型MOS
萬用表如何檢測耗盡型MOS好壞

ID:1122075 · 發(fā)表于 2024-5-24 09:51

增強(qiáng)型MOS：增強(qiáng)型MOSFET一個(gè)正電壓作為門極與源極之間的電壓來形成導(dǎo)通通道。當(dāng)門極壓高于閾值電壓時(shí)，通道將完全形成，從而允許電流流過。增強(qiáng)型MOS常用于開關(guān)和放大器等需要控制通斷的應(yīng)用，如邏輯門、功率放大器、開關(guān)模式電等。

耗盡型MOS：耗盡型MOSFET沒有驅(qū)動信號時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)，在門極與源極之間存在一個(gè)偏置電壓即可控制其截止或?qū)�。�?dāng)負(fù)置超過一定閾值時(shí)，耗盡型MOS將被關(guān)斷，現(xiàn)在耗盡型的MOS幾乎不再應(yīng)用

ID:123289 · 發(fā)表于 2024-5-24 15:19

萬用表如何檢測耗盡型MOS好壞？
答：要求萬用表中的電池電壓大于門極電壓值（通常使用6V或９V電池的就可以了）。
１、先將萬用表調(diào)檔于“用到電池電壓檔位”（如測電阻的10K檔，二極管檔，因表型號而異），用表棒給MOS的柵源加壓（碰一下即可），表棒方向調(diào)換一下，再碰一次。兩次操作會改變MOS的通、斷（依據(jù)沙發(fā)所寫的邏輯。）
２、再用表測量源漏極的通、斷狀態(tài)。如果符合沙發(fā)所寫的邏輯，就是好的。反之是壞的。
源漏極的通、斷，會符合１、中表棒在柵源上的施壓極性。
總結(jié)：測量MOS的好壞需要分兩步，第一步給柵源加壓；第二步測量源漏的通斷。
原理：MOS的柵源是有極電容的，給柵源加壓，就是給極電容充電，電容上的電壓短時(shí)間內(nèi)跑不掉，且這個(gè)電壓會決定MOS管的通斷。

ID:1122292 · 發(fā)表于 2024-5-26 22:16

一些情況下，表面有燒毀痕跡的MOS管很容易判斷為已損壞，使用二極管檔位來測量MOS管，多數(shù)時(shí)候?qū)妷簯?yīng)該在4.5-5.5V之間，負(fù)極接D引腳，正極接S引腳如果導(dǎo)通電壓過低或者接近0，那么說明已經(jīng)損壞

ID:1122292 · 發(fā)表于 2024-5-26 22:20

一些情況下，這種表面有燒毀痕跡的MOS管很容易判斷為已損壞，若使用二極管檔位來測量MOS管，1.多數(shù)時(shí)候?qū)妷簯?yīng)該在4.5-5.5V之間，負(fù)極接D引腳，正極接S引腳，如果導(dǎo)通電壓過低或者接近0，那么說明已經(jīng)損壞，2.測量D和S之間的電阻，如果不是無窮大說明有損壞，3.給G極通電，設(shè)置在5V-12V，然后測量有沒有完全導(dǎo)通，如果有很大的比如5歐姆甚至以上的電阻說明有問題

ID:879809 · 發(fā)表于 2024-5-30 22:06

耗盡型用于RF電路，井蛙們沒見過不等于不存在。

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