Flash模擬EEPROM擦除時(shí)間太長

ID:1108479 · 發(fā)表于 2024-6-20 11:32

大家好，

用的是STM32 MCU，為了省成本，用了內(nèi)部Flash模擬EEPROM，F(xiàn)lash最小擦除單位是扇區(qū)，一個(gè)扇區(qū)大小是128K。

用一個(gè)扇區(qū)模擬EEPROM，當(dāng)整個(gè)扇區(qū)寫滿后，擦除一次。但是規(guī)格書上寫的是擦除一個(gè)128K的扇區(qū)需要耗時(shí)1~2s,這個(gè)時(shí)間太長了！

肯定影響到系統(tǒng)實(shí)時(shí)性了。

有什么辦法可以解決嗎？看來還得用單獨(dú)的EEPROM芯片了！

ID:1109793 · 發(fā)表于 2024-6-20 16:56

秒還是毫秒？STM32不會(huì)用，STC也不用2秒吧

ID:1108479 · 發(fā)表于 2024-6-20 17:25

xiaobendan001 發(fā)表于 2024-6-20 16:56
秒還是毫秒？STM32不會(huì)用，STC也不用2秒吧

秒，確實(shí)是1~2s, 規(guī)格書上寫的，很奇怪很多用大容量的Flash都是怎么用的？

ID:123289 · 發(fā)表于 2024-6-20 19:44

懷疑讀書不準(zhǔn)確，當(dāng)為ms級(jí)。將你讀的書貼出來看看。

ID:192020 · 發(fā)表于 2024-6-20 20:38

要擦128K這么多？單位是不是有問題

ID:1034262 · 發(fā)表于 2024-6-20 21:22

xiaobendan001 發(fā)表于 2024-6-20 16:56
秒還是毫秒？STM32不會(huì)用，STC也不用2秒吧

STC8系列EEPROM扇區(qū)擦除幾個(gè)ms。

ID:57657 · 發(fā)表于 2024-6-21 06:25

看你程序使用了多少字節(jié)EEPROM，使用數(shù)據(jù)磨損均勻算法寫滿再擦。

ID:1108479 · 發(fā)表于 2024-6-21 09:33

qq475878026 發(fā)表于 2024-6-20 20:38
要擦128K這么多？單位是不是有問題

ST的高端MCU，STM32H743， 2M Flash, 最小擦除粒度確實(shí)是128K。

ID:1108479 · 發(fā)表于 2024-6-21 09:37

yzwzfyz 發(fā)表于 2024-6-20 19:44
懷疑讀書不準(zhǔn)確，當(dāng)為ms級(jí)。將你讀的書貼出來看看。

用的是STM32H743，高端MCU ，內(nèi)部2M flash，最小擦除粒度是128K，擦除時(shí)間如下圖，上面的單位是s (不確定有沒有看錯(cuò))。附件規(guī)格書你也可以看一下

ID:1108479 · 發(fā)表于 2024-6-21 09:43

npn 發(fā)表于 2024-6-21 06:25
看你程序使用了多少字節(jié)EEPROM，使用數(shù)據(jù)磨損均勻算法寫滿再擦。

這個(gè)我知道，其實(shí)我問的是擦除時(shí)間長影響實(shí)時(shí)性的問題

ID:744809 · 發(fā)表于 2024-6-21 10:10

可以在程序初始化的時(shí)候擦除，就不會(huì)影響后面的實(shí)時(shí)性，當(dāng)然啟動(dòng)時(shí)間也有要求的話，就沒辦法了

ID:161164 · 發(fā)表于 2024-6-21 10:52

可以按頁擦除啊，一頁只有1k
3.3.3 Embedded Flash memory

ID:123289 · 發(fā)表于 2024-6-22 00:11

擦128K是秒級(jí)，擦一頁不需要這么多時(shí)間。

ID:1108479 · 發(fā)表于 2024-6-22 09:17

lkc8210 發(fā)表于 2024-6-21 10:52
可以按頁擦除啊，一頁只有1k
3.3.3 Embedded Flash memory

估計(jì)沒看我發(fā)的STM32H743的規(guī)格書，這個(gè)MCU沒有頁的概念，只有扇區(qū)概念，所以擦除單位只能按扇區(qū)來擦除，一個(gè)扇區(qū)是128K。所以這樣是不是無解了？不行的話，就用EEPROM了，國產(chǎn)的一個(gè)也沒幾個(gè)錢

ID:1108479 · 發(fā)表于 2024-6-22 09:17

yzwzfyz 發(fā)表于 2024-6-22 00:11
擦128K是秒級(jí)，擦一頁不需要這么多時(shí)間。

這顆MCU沒有頁而概念，只有扇區(qū)，一個(gè)扇區(qū)是128K，所以只能按照128K扇區(qū)擦除

ID:624769 · 發(fā)表于 2024-6-22 20:13

據(jù)說，STM是非常高級(jí)的芯片，這玩藝難道還是單線程？你發(fā)了擦除指令之后，只能象“落后的51”一樣，等他完成了才能獲得時(shí)鐘權(quán)限么？不能先干別的事？

ID:123036 · 發(fā)表于 2024-6-22 22:37

188610329 發(fā)表于 2024-6-22 20:13
據(jù)說，STM是非常高級(jí)的芯片，這玩藝難道還是單線程？你發(fā)了擦除指令之后，只能象“落后的51”一樣，等他完 ...

STM32H743雙bank把他分分應(yīng)該不影響程序跑起來。

ID:828160 · 發(fā)表于 2024-6-23 15:41

lkc8210 發(fā)表于 2024-6-21 10:52
可以按頁擦除啊，一頁只有1k
3.3.3 Embedded Flash memory

這個(gè)不是H7xx的芯片吧

ID:844772 · 發(fā)表于 2024-7-1 11:39

我理解你的問題是，需要不斷讀取Flash，但擦除時(shí)會(huì)停止取指操作，MCU就像是卡了，但你給的手冊(cè) P33 的 Figure 4. STM32H743xI/G bus matrix ，看圖它分為flash A 和flash B，我理解如果讀取FLASHA時(shí)，可以對(duì)FLASHB進(jìn)行擦除操作，在擦除的幾秒時(shí)間內(nèi)，SysTick_Handler()中斷服務(wù)函數(shù)，uwTick記數(shù)器變化應(yīng)該正常的。我的建議你應(yīng)該理解吧？

ID:1108479 · 發(fā)表于 2024-7-1 11:54

188610329 發(fā)表于 2024-6-22 20:13
據(jù)說，STM是非常高級(jí)的芯片，這玩藝難道還是單線程？你發(fā)了擦除指令之后，只能象“落后的51”一樣，等他完 ...

我不太明白，擦除Flash的時(shí)候，CPU還能干別的事嗎？不是要等擦除完成嗎？難道擦除Flash的時(shí)候還能像DMA一樣操作？如果能這樣，那就好辦了

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