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zcc5148q 替代 ltc7891

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ID:1123843 發(fā)表于 2024-7-1 10:11 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
特征
►GaN 驅動技術針對 GaN FET 進行了充分優(yōu)化
►寬 VIN 范圍:4 V 到 100 V
►寬輸出電壓范圍:0.8 V≤VOUT≤60 V
►不需要捕獲、箝位或自舉二極管
►內部智能自舉開關可防止高壓過充電-
側面驅動器電源
►內部優(yōu)化,智能接近零死區(qū)時間或電阻器
可調死區(qū)時間
►用于可調節(jié)開啟和關閉驅動器的分體式輸出門驅動器
優(yōu)勢
►精確可調的驅動器電壓和 UVLO
►低工作 IQ:5μA(48 VIN 至 5 VOUT)
►可編程頻率(100 kHz 至 3 MHz)
►鎖相頻率(100 kHz 至 3 MHz)
►擴頻頻率調制
►28 引線(4 mm×5 mm)側可濕 QFN 封裝
APPLICATIONS (應用)
►工業(yè)電力系統(tǒng)
一般說明
ZCC5148Q 是一種高性能、降壓、直流到直流開關調節(jié)器控制器,可從高達 100V 的輸入電壓驅動所有 N 溝道同步氮化鎵
(GaN)場效應晶體管(FET)功率級。ZCC5148Q 解決了傳統(tǒng)上使用 GaN FET 時面臨的許多挑戰(zhàn)。ZCC5148Q 簡化了
同時與硅金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)解決方案相比不需要保護二極管和其他額外的外部組件。內部智能
自舉開關可防止 BOOST 引腳至 SW 引腳高側驅動器電源在死區(qū)期間過充電,從而保護頂部 GaN FET 的柵極。ZCC5148Q
在內部優(yōu)化了兩個開關邊緣的柵極驅動器時序,以實現(xiàn)智能的接近零死區(qū)時間,顯著提高了效率,并允許高頻操作,即使
在高輸入電壓下也是如此;蛘,用戶可以使用外部電阻器調整死區(qū)時間以獲得裕度或定制應用。
ZCC5148Q 的柵極驅動電壓可以從 4V 精確調整到 5.5V,以優(yōu)化性能,并允許使用不同的 GaN FET,甚至邏輯電平 MOSFET。



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