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單片機產(chǎn)生PWM波后 升壓？？

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樓主
ID:57495 發(fā)表于 2013-12-22 20:39 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
如圖所示：因為單片機產(chǎn)生的PWM波電壓太低，難以驅(qū)動半導體制冷片（額定電壓12v，4A），所以設計以下電路，為了使Vi 15v降至Vout得到8v,10v 12v  。
問題1：單片機產(chǎn)生的PWM波可以直接接MOS管嗎,中間需要光電耦合器嗎?
問題2：圖中的M 開關管，是MOS管合適，還是IGBT合適？？

22222222222222222.jpg (16.95 KB, 下載次數(shù): 132)

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沙發(fā)
ID:58634 發(fā)表于 2014-1-10 18:28 | 只看該作者
個人認為單片機產(chǎn)生的PWM波可以直接接MOS管，如果怕影響到單片機的穩(wěn)定就加光電耦合器。 開關管用MOS管或IGBT都行，看工作頻率和負載是什么。只是個人理解。
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板凳
ID:59048 發(fā)表于 2014-2-9 11:40 | 只看該作者
1.可以直接接MOS管，其實光耦不僅是起到隔離作用，還有就是后面的控制部分，比如電壓可以接的高些（12V或者更高些）。2.當然是MOS管速度快了�？煽毓鑼ㄈ菀祝遣荒茏孕嘘P斷；IGBT常用于大功率設備，需要專門的驅(qū)動，所以速度也受影響。高速小功率建議用MOS管。
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地板
ID:118284 發(fā)表于 2016-5-13 08:35 | 只看該作者
加一個NPN三極管就可以
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5#
ID:120465 發(fā)表于 2016-5-13 08:47 | 只看該作者
個人認為開關管使用MOS管比較合適
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6#
ID:120521 發(fā)表于 2016-5-13 13:05 | 只看該作者
MOS管即可
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7#
ID:120554 發(fā)表于 2016-5-13 16:06 | 只看該作者
mos管托托的
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